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2025年(半导体材料测试)测试技术试题及答案
分为第I卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,满分100分,考试时间90分钟。
第I卷(选择题共40分)
答题要求:请将正确答案的序号填在括号内。
一、单项选择题(总共10题,每题2分)
1.以下哪种方法不是半导体材料电学性能测试常用方法?()
A.四探针法B.伏安法C.光谱分析法D.电导率测试法(答案:C)
2.测量半导体材料电阻率时,样品形状通常为()
A.块状B.薄膜状C.丝状D.任意形状(答案:C)
3.半导体材料的霍尔系数与以下哪个因素无关?()
A.载流子浓度B.载流子迁移率C.温度D.材料颜色(答案:D)
4.热探针法主要用于测量半导体材料的()
A.热导率B.电导率C.禁带宽度D.载流子寿命(答案:A)
5.测量半导体材料电容时,常用的仪器是()
A.示波器B.万用表C.电容测试仪D.频谱分析仪(答案:C)
6.半导体材料的光电导效应是指()
A.光照下电阻增大B.光照下电阻减小C.光照下产生电动势D.光照下电流消失(答案:B)
7.以下哪种半导体材料测试技术可以用于分析材料的微观结构?()
A.X射线衍射B.四探针法C.热导率测试D.电导率测试(答案:A)
8.测量半导体材料的少数载流子寿命常用的方法是()
A.稳态光电导法B.四探针法C.伏安法D.电容测试法(答案:A)
9.半导体材料的功函数是指()
A.电子逸出材料表面所需的最小能量B.电子在材料内部的能量C.材料的导电能力D.材料的热稳定性(答案:A)
10.以下哪种气体可以用于半导体材料的气氛测试?()
A.氧气B.氮气C.氢气D.以上都是(答案:D)
二、多项选择题(总共10题,每题2分)
1.半导体材料电学性能测试包括()
A.电阻率测量B.霍尔系数测量C.载流子迁移率测量D.电容测量(答案:ABCD)
2.四探针法测量半导体材料电阻率时,以下说法正确的是()
A.电流从外侧两探针流入B.电压从内侧两探针测量C.可以消除接触电阻影响D.测量精度高(答案:ABCD)
3.半导体材料的载流子包括()
A.电子B.空穴C.离子D.光子(答案:AB)
4.影响半导体材料电导率的因素有()
A.载流子浓度B.载流子迁移率C.温度D.光照(答案:ABCD)
5.霍尔效应实验中可以测量的物理量有()
A.霍尔电压B.电流C.磁场强度D.样品厚度(答案:ABC)
6.半导体材料的热学性能测试包括()
A.热导率测量B.比热容测量C.热膨胀系数测量D.熔点测量(答案:ABC)
7.以下哪些是半导体材料的光学性能测试方法?()
A.吸收光谱B.发射光谱C.拉曼光谱D.光致发光光谱(答案:ABCD)
8.测量半导体材料少数载流子寿命的方法有()
A.稳态光电导法B.表面光电压法C.脉冲光激励法D.微波光电导衰减法(答案:ACD)
9.半导体材料的表面特性测试包括()
A.表面态密度测量B.表面复合速度测量C.表面粗糙度测量D.表面元素分析(答案:ABCD)
10.半导体材料测试中常用的样品制备方法有()
A.切割B.研磨C.抛光D.腐蚀(答案:ABCD)
三、判断题(总共4题,每题5分)
1.半导体材料的电阻率随温度升高一定增大。(×)
2.霍尔系数为零的半导体材料一定是本征半导体。(×)
3.热导率高的半导体材料一定具有良好的散热性能。(√)
4.光致发光光谱主要用于分析半导体材料的发光特性。(√)
第Ⅱ卷(非选择题共60分)
四、填空题(总共10题,每题2分)
1.半导体材料的电学性能主要包括(电阻率)、(载流子迁移率)、(霍尔系数)等。
2.四探针法测量电阻率时,样品的长度应(大于)探针间距。
3.半导体材料的载流子浓度可以通过(霍尔效应)测量得到。
4.热导率的单位是(W/(m·K))。
5.半导体材料的吸收光谱反映了材料对不同波长光的(吸收能力)。
6.少数载流子寿命的测量对于研究半导体器件的(性能)具有重要意义。
7.半导体材料的表面态会影响材料的(电学)和(光学)性能。
8.半导体材料
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