表面化学分析 电子能谱 导电碳基材料结合能的测量.pdfVIP

表面化学分析电子能谱

导电碳基材料结合能的测量

1范围

本文件描述了用于sp杂化的CC键为主体的导电碳基材料结合能测量的X射线光电子能谱方法。2

本文件提供了用于导电碳基材料结合能测量的样品处理、制备和安装方法的指导，帮助分析人员获

得有效的测量数据。

本文件适用于富勒烯、碳纳米管、碳纤维、石墨烯、天然石墨等导电碳基材料结合能测量，其他导

电基体材料的测量可参照执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T19500X射线光电子能谱分析方法通则

GB/T22571表面化学分析X射线光电子能谱能量标尺的校准

GB/T25185表面化学分析X射线光电子能谱荷电控制和荷电校正方法的报告

GB/T41072表面化学分析电子能谱紫外光电子能谱分析指南

GB/T30704表面化学分析X射线光电子能谱分析指南

GB/T22461.1表面化学分析词汇第1部分：通用术语及谱学术语

3术语和定义

GB/T19500与GB/T22461.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1导电碳基材料conductivecarbon-basedmaterials

2

以sp杂化的C-C键为主体的碳材料，具有较好的稳定性及导电性。按照维度可分为零维、一维、

二维和三维材料。其中，零维材料有碳量子点、富勒烯等；一维材料有碳纤维、碳纳米管、碳纳米

线等；二维材料有石墨烯等；三维材料也称体材料,包含天然石墨，活性炭，导电炭黑，碳气凝胶，

生物碳及其复合材料等。

3.2结合能bindingenergy

将特定能级上的电子移到固体费米能级或移到自由原子或分子的真空能级所需消耗的能量。

[来源：GB/T19500-2004,3.11]

3.3荷电中和chargeneutralization

在入射粒子或光子轰击下，使非导体或不良导体样品材料的表面维持固定电位，通常接近电中性。

注：能用电子或者较少使用的离子或光子，轰击表面实现荷电中和。

[来源：GB/T22461.1-2023,6.98]

3.4费米能级fermilevel

导体绝对零度时价带中电子的最高能量。

1

注1：见真空能级。

注2：导体能带中电子占据率为0.5的能量位置即为改导体费米能级，而绝缘体和半导体的费米能级通常位于价带

和导带之间。

[来源：GB/T22461.1-2023,6.211]

3.5真空能级vacuumlevel

在空间一点处的真空电势能。

注1：见费米能级。

注2：在电子能谱中，空间的点取在距离样品外足够远处，使得由于表面不同区域的逸出功不同引起的电场为零或

极小。

[来源：GB/T22461.1-2023,6.483]

3.6逸出功workfunction

电子在费米能级和恰好在指定表面外最大电势能处之间的电势能差。

注1：通常单晶不同晶面的逸出功是不同的。逸出功也与晶体表面的清洁状态有关。

注2：多晶表面是呈现平均逸出功，它与所暴露的组成单晶面的类型和面积有关。

[来源：GB/T22461.1-2023,6.487]

4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件。

h：入射光子能量（incidentphotoenergy）

S：样品逸出功（workfunctionofsample）

SP：谱仪逸出功（workfunctionofspectrometer）

S

E：样品表面出射的光电子动能（kineticenergyofphotoelectronemittedfromsample）

K

F

E：光电子结合能（bindingenergyofphotoelectro