核磁共振波谱.pptx

04:15:497.3.1化学位移及其影响因素一、屏蔽作用与化学位移1.屏蔽作用理想化的、裸露的氢核，满足共振条件：?0=?B0/(2?)，产生单一的吸收峰。实际上，氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下，运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场，起到屏蔽作用，使氢核实际受到的外磁场作用减小：B=（1-?）B0?：屏蔽常数。?越大，屏蔽效应越大。?0=[?/(2?)]（1-?）B0屏蔽的存在，共振需更强的外磁场(相对于裸露的氢核)。

04:15:492.化学位移chemicalshift?0=[?/(2?)]（1-?）B0由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振需要更大的外磁场强度（相对于裸露的氢核），来抵消屏蔽影响。在有机化合物中，各种氢核周围的电子云密度不同（结构中不同位置）共振频率有差异，即引起共振吸收峰的位移，这种现象称为化学位移。

04:15:493.化学位移的表示方法(1)位移的标准没有完全裸露的氢核，没有绝对的标准。相对标准：四甲基硅烷Si(CH3)4（TMS）（内标）位移常数?TMS=0(2)为什么用TMS作为基准?a.12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰；b.屏蔽强烈，位移最大，与有机物中质子峰不重叠；c.化学惰性，易溶于有机溶剂，沸点低，易回收。

04:15:49位移的表示方法与裸露的氢核相比，TMS的化学位移最大，但规定?TMS=0，其他种类氢核的位移为负值，负号不加。?=[(?样-?TMS)/?TMS]×106?小，屏蔽强，共振需要的磁场强度大，在高场出现，图右侧。?大，屏蔽弱，共振需要的磁场强度小，在低场出现，图左侧。

04:15:49二、影响化学位移的因素1．电负性--去屏蔽效应与质子相连元素的电负性越强，吸电子作用越强，价电子偏离质子，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。

04:15:49电负性对化学位移的影响δδ

04:15:49磁各向异性效应磁各向异性是指质子在分子中所处的空间位置不同，屏蔽作用不同的现象。

04:15:49苯环的磁各向异性效应去屏蔽作用。δ值大（7.2），低场。

04:15:49双键的磁各向异性效应C=C双键去屏蔽，低场共振，化学位移位大（δ=5.84）C=O去屏蔽，低场共振，化学位移位大δ≈9特征

04:15:49三键的磁各向异性效应横去屏蔽，竖屏蔽，高场共振，化学位移比双键小些。δ=2.88

04:15:49单键的磁各向异性效应沿键轴方向为去屏蔽效应。链烃中δCHδCH2δCH3甲基上的氢被碳取代后，去屏蔽效应增大，共振频率移向低场。

04:15:492.氢键效应形成氢键后1H核屏蔽作用减少，属于去屏蔽效应。

04:15:493.空间效应

04:15:49空间效应?Ha=3.92?Hb=3.55?Hc=0.88?Ha=4.68?Hb=2.40?Hc=1.10去屏蔽效应

04:15:494.各类有机化合物的化学位移①饱和烃–CH3:?CH3=0.79?1.10–CH2:?CH2=0.98?1.54–CH:?CH=?CH3+(0.5?0.6)?H=3.2~4.0?H=2.2~3.2?H=1.8?H=2.1?H=2~3

04:15:49各类有机化合物的化学位移②烯烃端烯质子：?H=4.8~5.0内烯质子：?H=5.1~5.7与烯基，芳基共轭：?H=4~7③芳香烃芳烃质子：?H=6.5~8.0供电子基团取代–OR，–NR2时：?H=6.5~7.0吸电子基团取代–COCH3，–CN时：?H=7.2~8.0高场强仪器，单取代出现两组复杂峰。

04:15:49各类有机化合物的化学位移–COOH：?H=10~13–OH：（醇）?H=1.0~6.0（酚）?H=4~12–NH2：（脂肪）?H=0.4~3.5（芳香）?H=2.9~4.8（酰胺）?H=9.0~10.2–CHO：?H=9~10

04:15:49常见结构单元化学位移范围

04:15:49一些常见结构单元的化学位移范围

04:15:497.3.2自旋-自旋偶合与偶合常数一、自旋偶合与自旋裂分裂分的原因？有什么规律？如何表征？