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光电子测试题库及答案

一、选择题（每题2分，共40分）

1.以下关于光子与电子的基本特性描述中，错误的是：

A.光子静止质量为0，电子静止质量约9.1×10?31kg

B.光子在真空中速度恒为c，电子在导体中漂移速度远小于c

C.光子自旋量子数为1，电子自旋量子数为1/2

D.光子遵循泡利不相容原理，电子不遵循

答案：D（光子为玻色子，不遵循泡利不相容原理；电子为费米子，遵循）

2.某半导体材料禁带宽度Eg=1.42eV，其本征吸收截止波长λc约为（h=6.626×10?3?J·s，c=3×10?m/s，1eV=1.6×10?1?J）：

A.873nm

B.1024nm

C.1310nm

D.1550nm

答案：A（λc=hc/Eg=(6.626×10?3?×3×10?)/(1.42×1.6×10?1?)=8.73×10??m=873nm）

3.光电导效应中，载流子寿命τ与响应时间tr的关系为：

A.tr≈τ

B.tr≈1/τ

C.tr≈τ2

D.tr≈√τ

答案：A（光电导器件的响应时间主要由载流子寿命决定，tr≈τ）

4.以下光电器件中，属于结型光电器件的是：

A.光敏电阻

B.光电倍增管

C.PIN光电二极管

D.热释电探测器

答案：C（PIN管基于PN结结构，光敏电阻为体材料器件，光电倍增管为真空器件，热释电探测器基于热电效应）

5.评价雪崩光电二极管（APD）性能的关键参数“雪崩增益G”的典型范围是：

A.1~10

B.10~100

C.100~1000

D.1000~10000

答案：C（APD通过雪崩倍增效应实现高增益，典型G=100~1000）

6.测量半导体激光器（LD）的P-I特性时，需要重点关注的特征点是：

A.阈值电流Ith

B.饱和电流Isat

C.反向击穿电压Vbr

D.截止频率fc

答案：A（P-I曲线在Ith处出现明显转折，是LD从自发辐射到受激辐射的临界点）

7.光纤的模场直径（MFD）主要影响以下哪项性能？

A.衰减系数

B.色散特性

C.接续损耗

D.数值孔径

答案：C（模场直径失配是光纤接续损耗的主要来源之一）

8.以下关于光谱分析仪（OSA）的描述中，错误的是：

A.分辨率由狭缝宽度和色散元件决定

B.可测量光源的中心波长和半高全宽（FWHM）

C.无法检测光信号的相位信息

D.测量范围通常覆盖紫外到远红外全波段

答案：D（商用OSA主要覆盖通信波段（800~1700nm），紫外和远红外需专用设备）

9.测试发光二极管（LED）的外量子效率ηext时，需测量的参数不包括：

A.注入电流I

B.发射光功率P

C.结温Tj

D.材料禁带宽度Eg

答案：D（ηext=（发射光子数/注入电子数）=（P/hν）/(I/e)，与Eg无直接关系）

10.以下哪种噪声是光电探测器的固有噪声？

A.环境电磁干扰噪声

B.热噪声（约翰逊噪声）

C.电源纹波噪声

D.机械振动引起的噪声

答案：B（热噪声由载流子热运动产生，是探测器固有噪声；其他为外部干扰）

11.光纤色散测试中，采用“相移法”主要测量的是：

A.模式色散

B.材料色散

C.波导色散

D.偏振模色散（PMD）

答案：B（相移法通过测量不同频率调制光的相位差，主要反映材料色散）

12.评价光电探测器响应度R的正确表达式是：

A.R=输出电流/入射光功率（A/W）

B.R=输出电压/入射光功率（V/W）

C.R=入射光功率/输出电流（W/A）

D.R=量子效率/（hν/e）

答案：A（响应度定义为光电流与入射光功率的比值，单位A/W；D选项应为R=ηe/hν）

13.某PIN光电二极管的量子效率η=80%，入射光波长λ=1550nm，其响应度R约为：

A.0.62A/W

B.0.81A/W

C.1.02A/W

D.1.24A/W

答案：B（R=ηeλ/(hc)=0.8×1.6×10?1?×1550×10??/(6.626×10?3?×3×10?)=0.81A/W）

14.以下关于光电倍增管（PMT）的描述中，正确的是：

A.适用于强光照检测

B.响应速度比半导体探测器慢

C.需高压电源驱动

D.量子效率通常高于100%

答案：C（PMT需要几千伏高压驱动打拿极；A错误，PMT适合弱光检测；B错误，PMT响应时间可达ns级；D错误，量子效率一般30%）

15.测试光纤衰减系数时，“切断法”的关键操作是：