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光电检测技术试题答案及答案

光电检测技术试题

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种效应属于外光电效应？

A.光电导效应B.光生伏特效应C.光电发射效应D.光伏特效应

2.硅光电二极管在可见光波段的峰值响应波长约为：

A.400nmB.600nmC.850nmD.1550nm

3.光电倍增管（PMT）的电子倍增主要依靠：

A.二次电子发射B.载流子倍增C.雪崩击穿D.热电子发射

4.为抑制背景光干扰，光电检测系统中常用的调制方式是：

A.幅度调制B.频率调制C.相位调制D.斩波调制

5.光电探测器的响应度R定义为：

A.输出电流与入射光功率之比B.输出电压与入射光功率之比

C.输出电流与入射光子数之比D.输出电压与入射光子能量之比

6.热释电探测器的工作原理基于：

A.热电效应B.光电导效应C.光生伏特效应D.压电效应

7.CCD（电荷耦合器件）的核心功能是：

A.光电转换与电荷存储B.电子倍增与信号放大

C.光谱分光与波长选择D.图像显示与数据输出

8.以下哪种噪声是光电探测器的固有噪声，与入射光强无关？

A.散粒噪声B.热噪声C.温度噪声D.1/f噪声

9.锁相放大器（LIA）的主要作用是：

A.放大高频信号B.抑制随机噪声，提取微弱周期信号

C.实现信号的频率转换D.补偿探测器的非线性失真

10.光电检测系统中，动态范围定义为：

A.最大可检测光强与最小可检测光强之比B.输出信号最大值与最小值之比

C.探测器响应度的变化范围D.系统能处理的信号频率范围

二、填空题（每空2分，共20分）

1.内光电效应包括__________和__________两类。

2.光电倍增管的基本结构由__________、__________和__________三部分组成。

3.硅光电池的开路电压主要取决于__________，短路电流主要取决于__________。

4.光电检测系统中，调制光信号的目的是__________和__________。

三、简答题（每题8分，共32分）

1.比较PIN光电二极管与普通PN结光电二极管的区别。

2.简述光电倍增管（PMT）的工作过程及主要性能参数。

3.说明散粒噪声与热噪声的来源及特点，并指出它们对光电检测系统的影响。

4.设计一个基于锁相放大技术的微弱光信号检测系统，需考虑哪些关键环节？

四、计算题（每题10分，共20分）

1.某硅光电二极管的响应度R=0.5A/W，入射光功率P=10μW，暗电流I_d=1nA，负载电阻R_L=1kΩ，环境温度T=300K（玻尔兹曼常数k=1.38×10?23J/K）。计算：

（1）光生电流I_p；

（2）输出电压V_out（假设探测器工作在线性区）；

（3）热噪声电流的方均根值I_n（热噪声公式：I_n=√(4kTΔf/R_L)，Δf=1kHz）。

2.一束波长λ=632.8nm（光子能量hν≈3.14×10?1?J）的激光入射到光电倍增管上，PMT的阴极量子效率η=20%，倍增极增益G=10?，阳极输出电流I_a=1μA。求：

（1）阴极的光电子发射速率n_e（单位：个/s）；

（2）入射光子流速率n_p（单位：个/s）。

五、综合题（8分）

设计一个用于检测生物荧光（波长550nm，光强约10?12W）的光电检测系统，需考虑以下问题：

（1）选择合适的光电探测器并说明理由；

（2）分析系统的主要噪声来源及抑制方法；

（3）提出信号调制与解调的具体方案。

光电检测技术试题答案

一、单项选择题

1.C（外光电效应指电子逸出材料表面的现象，即光电发射效应；A、B、D均为内光电效应）

2.B（硅材料的禁带宽度约1.1eV，对应峰值响应波长约λ=1240/E_g≈1127nm，但受表面复合影响，可见光波段峰值约600nm）

3.A（PMT通过打拿极的二次电子发射实现电子倍增，载流子倍增是雪崩二极管的特性）

4.D（斩波调制通过机械或电子方式将直流光转换为交流信号，便于后续交流放大抑制直流噪声）

5.A（响应度定义为输出电流或电压与入射光功率之比，电流响应度更常见，单位A/W）

6.A（热释电探测器利用铁电材料的自发极化随温度变化的特性，属于热电效应）

7.A（CCD的核心是光电转