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光电技术考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.已知某单色光波长为632.8nm（氦氖激光），其光子能量约为（）

A.1.96eVB.2.14eVC.3.14eVD.0.98eV

答案：A（计算：E=hc/λ=1240/632.8≈1.96eV）

2.光电导效应的本质是（）

A.光生载流子浓度增加导致电导率上升

B.光生电动势驱动载流子定向移动

C.光子激发电子逸出表面形成电流

D.晶格振动吸收光子能量产生热效应

答案：A

3.下列材料中，最适合制作紫外光电探测器的是（）

A.硅（Si，禁带宽度1.12eV）

B.砷化镓（GaAs，1.43eV）

C.碳化硅（SiC，3.26eV）

D.锗（Ge，0.67eV）

答案：C（禁带宽度大，可响应短波长）

4.光纤通信中，1550nm波段损耗最低的主要原因是（）

A.材料吸收峰在此处

B.瑞利散射随波长四次方减小

C.波导色散被完全补偿

D.受激拉曼散射效应增强

答案：B

5.半导体激光器（LD）与发光二极管（LED）的本质区别是（）

A.LD使用直接带隙材料，LED使用间接带隙

B.LD存在受激辐射，LED主要是自发辐射

C.LD需要PN结，LED不需要

D.LD发光效率低于LED

答案：B

6.光电倍增管（PMT）中，打拿极的主要作用是（）

A.聚焦光电子

B.放大电子信号

C.滤除杂散光

D.转换光子为电子

答案：B

7.某PIN光电二极管的量子效率为80%，入射光功率为1μW（波长1550nm），则产生的光电流约为（）

A.0.64μAB.0.82μAC.1.24μAD.1.63μA

答案：A（计算：I=ηqP/hν=ηqλP/(hc)=0.8×1.6×10?1?×1550×10??×1×10??/(6.63×10?3?×3×10?)≈0.64μA）

8.光纤的数值孔径（NA）定义为（）

A.NA=sinθ_maxB.NA=cosθ_maxC.NA=tanθ_maxD.NA=arcsinθ_max

答案：A

9.激光的纵模数量主要由（）决定

A.谐振腔长度B.工作物质增益带宽

C.腔镜反射率D.泵浦功率

答案：A（纵模间隔Δν=c/(2nL)，数量≈增益带宽/Δν）

10.太阳能电池的开路电压主要取决于（）

A.光照强度B.材料禁带宽度

C.电池面积D.串联电阻

答案：B（开路电压Voc≈(kT/q)ln(Iph/Is+1)，Is与禁带宽度相关）

二、填空题（每空1分，共20分）

1.光电效应可分为外光电效应、内光电效应和__________，其中光电倍增管基于__________效应工作。

答案：光热效应；外光电

2.半导体光电探测器的响应度R定义为__________，单位是__________。

答案：输出光电流与入射光功率的比值；A/W

3.光纤的三个低损耗窗口分别是__________nm、__________nm和__________nm。

答案：850；1310；1550

4.激光的四大特性是__________、__________、__________和高亮度。

答案：方向性好；单色性好；相干性好

5.光电导探测器的时间常数τ=__________，其中μ为载流子迁移率，E为电场强度。

答案：L2/(μE)（L为电极间距）

6.发光二极管（LED）的发光机制是__________，其光谱宽度通常比半导体激光器__________（填“宽”或“窄”）。

答案：自发辐射；宽

7.光纤色散包括模式色散、__________和__________，其中单模光纤的主要色散是__________。

答案：材料色散；波导色散；材料色散

8.半导体激光器的阈值条件包括__________条件和__________条件，其中增益条件要求__________。

答案：相位；增益；增益系数≥损耗系数

三、简答题（每题6分，共30分）

1.比较光电导探测器与光伏探测器的工作原理及主要区别。

答案：

光电导探测器基于内光电效应中的光电导效应，当光子能量大于材料禁带宽度时，吸收光子产生光生载流子（电子-空穴对），导致材料电导率增加，在外加偏压下形成光电流。其工作时需要外加偏置电压，无光照时存在暗电流。

光伏探测器基于光生伏特效应，当光照射PN结时，产生的光生载流子被内建电场分离，在结两端形成电