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光电技术考试核心题库及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种效应属于外光电效应？

A.光电导效应

B.光伏效应

C.光电发射效应

D.光热效应

答案：C

解析：外光电效应指材料吸收光子后，电子逸出表面形成光电子的现象（如光电管）；内光电效应包括光电导（电阻变化）和光伏效应（电势差），光热效应是光能转化为热能。

2.光纤通信中，单模光纤的“单模”指的是？

A.仅传输一种波长的光

B.仅传输基模（LP??模）

C.仅支持横向电场模式

D.仅支持纵向磁场模式

答案：B

解析：单模光纤通过设计芯径和折射率差，仅允许基模（最低阶模式）传输，避免多模色散，适用于长距离高速通信。

3.半导体激光器（LD）与发光二极管（LED）的核心区别在于？

A.LD使用直接带隙材料，LED使用间接带隙材料

B.LD存在受激辐射，LED以自发辐射为主

C.LD的光谱宽度更宽

D.LD的响应速度更慢

答案：B

解析：LD通过受激辐射实现光放大，需满足阈值条件（粒子数反转），输出相干光；LED依赖自发辐射，光谱宽、相干性差，但结构简单、成本低。

4.光电倍增管（PMT）中，打拿极（Dynode）的主要作用是？

A.将光信号转换为电信号

B.放大光电子数量

C.滤除杂散光

D.稳定工作电压

答案：B

解析：PMT的光阴极将光子转换为光电子，打拿极通过二次电子发射效应（每个入射电子激发多个二次电子）实现电子倍增，最终阳极输出放大的电信号。

5.以下哪种探测器适用于微弱光信号的快速探测？

A.光敏电阻（LDR）

B.光电二极管（PD）

C.雪崩光电二极管（APD）

D.光电池（SolarCell）

答案：C

解析：APD利用雪崩倍增效应（内部增益），可探测皮瓦级弱光，响应时间短（纳秒级）；LDR响应慢（毫秒级），PD无内部增益，光电池主要用于能量转换。

6.光纤的数值孔径（NA）计算公式为？

A.NA=n?sinθ?

B.NA=√(n?2-n?2)

C.NA=n?/n?

D.NA=(n?-n?)/n?

答案：B

解析：NA表征光纤捕捉光的能力，由芯层折射率n?和包层折射率n?决定，公式为NA=√(n?2-n?2)，θ?为最大入射角度，满足n?sinθ?=NA（n?为空气折射率，约1）。

7.红外探测器中，“量子型探测器”与“热型探测器”的本质区别是？

A.量子型响应速度更快，热型灵敏度更高

B.量子型依赖光子与载流子的相互作用，热型依赖温度变化

C.量子型工作于常温，热型需制冷

D.量子型探测波长更长

答案：B

解析：量子型探测器（如InSb、HgCdTe）通过光子激发电子（光电效应）产生信号，响应速度快（纳秒级），但需匹配材料带隙（探测波长受限）；热型探测器（如热电偶、热释电）通过吸收光子导致温度变化（电阻/电势变化），响应慢（毫秒级），但光谱范围宽（覆盖红外全波段）。

8.CCD（电荷耦合器件）的核心功能是？

A.实现光信号的放大

B.完成电荷的存储与转移

C.直接输出数字信号

D.增强图像对比度

答案：B

解析：CCD通过MOS电容阵列存储光生电荷（光电转换），并通过时钟脉冲控制相邻电容的电势差，实现电荷包的定向转移（耦合），最终由输出放大器转换为电信号。

9.以下哪种调制方式属于内调制？

A.激光通过声光调制器实现强度调制

B.半导体激光器的注入电流调制

C.光纤布拉格光栅的波长调制

D.电光晶体的相位调制

答案：B

解析：内调制是在光源内部直接调制（如LD的电流调制，改变输出光强）；外调制是对已产生的激光进行调制（如声光、电光调制器）。

10.评价光电探测器性能的关键参数“响应度R”的定义是？

A.输出电流与入射光功率的比值（A/W）

B.输出电压与入射光功率的比值（V/W）

C.输出电流与入射光子数的比值（e?/photon）

D.信噪比与入射光功率的比值（dBm/W）

答案：A

解析：响应度R=I?/P??，单位A/W，表征探测器将光功率转换为电流的能力；量子效率η=（光电子数/入射光子数）=R·hν/q（hν为光子能量，q为电子电荷）。

二、填空题（每空1分，共20分）

1.光电效应的三个基本类型为：外光电效应、______、______。（内光电效应、光热效应）

2.光纤的损耗主要包括______、______