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光电基础考试题库及答案解析

一、选择题（每题3分，共30分）

1.关于光的干涉现象，以下说法正确的是（）

A.两束光频率不同时也能产生稳定干涉

B.相干光源需满足频率相同、相位差恒定、振动方向一致

C.白光干涉时观察不到彩色条纹

D.杨氏双缝实验中，缝间距增大则干涉条纹间距增大

答案：B

解析：干涉的必要条件是相干光源（频率相同、相位差恒定、振动方向一致），故A错误；白光干涉因不同波长的光干涉条纹位置不同，会呈现彩色条纹，C错误；杨氏双缝干涉条纹间距公式为Δx=λD/d（λ为波长，D为缝屏间距，d为缝间距），d增大则Δx减小，D错误。

2.某介质对波长500nm的光折射率为1.5，该光在介质中的传播速度为（）

A.2×10?m/s

B.3×10?m/s

C.1.5×10?m/s

D.4×10?m/s

答案：A

解析：光速在介质中v=c/n，c=3×10?m/s，n=1.5，故v=2×10?m/s。

3.光电效应实验中，若入射光频率不变但强度增加，以下现象正确的是（）

A.光电子最大初动能增大

B.饱和光电流增大

C.截止电压增大

D.遏止频率增大

答案：B

解析：根据爱因斯坦光电效应方程，光电子最大初动能仅与入射光频率有关（E_k=hν-W?），强度增加会增加单位时间内逸出的光电子数，从而增大饱和光电流；截止电压由最大初动能决定，与强度无关；遏止频率是使光电效应发生的最小频率，由材料逸出功决定，与强度无关。

4.半导体激光器（LD）与发光二极管（LED）的核心区别是（）

A.LD基于自发辐射，LED基于受激辐射

B.LD输出单色性更好

C.LED需要PN结正向偏置，LD需要反向偏置

D.LD的发光效率低于LED

答案：B

解析：LD利用受激辐射实现激光输出，单色性、方向性优于LED（LED基于自发辐射）；两者均需正向偏置；LD发光效率通常更高。

5.光纤的数值孔径（NA）定义为（）

A.NA=sinθ_max，其中θ_max为最大入射角

B.NA=√(n?2-n?2)，n?为纤芯折射率，n?为包层折射率

C.NA=cosθ_c，θ_c为临界角

D.NA=λ/(2n?Δ)，λ为光波长，Δ为相对折射率差

答案：B

解析：数值孔径NA=sinθ_max=√(n?2-n?2)，其中θ_max是光从空气入射时能在纤芯内全反射的最大入射角；临界角θ_c满足sinθ_c=n?/n?，故NA=√(1-(n?/n?)2)·n?≈n?√(2Δ)（Δ=(n?-n?)/n?为相对折射率差）。

6.以下哪种器件利用了光的偏振特性？（）

A.光电二极管

B.液晶显示器（LCD）

C.半导体激光器

D.太阳能电池

答案：B

解析：LCD通过控制液晶分子的排列改变光的偏振状态，实现显示；光电二极管、太阳能电池基于光电效应，半导体激光器基于受激辐射，均与偏振无关。

7.某单色光垂直入射到厚度为d的薄膜上（折射率n?），薄膜上下表面为空气（n?=n?=1），若n?1，则上下表面反射光的光程差为（）

A.2n?d

B.2n?d+λ/2

C.2n?d-λ/2

D.2d

答案：B

解析：上表面（空气→薄膜）反射时有半波损失（光从光疏到光密介质反射），下表面（薄膜→空气）反射时无半波损失（光从光密到光疏介质反射），故总光程差为2n?d+λ/2（半波损失等效光程差λ/2）。

8.关于CCD（电荷耦合器件）的工作原理，以下描述错误的是（）

A.基于光电转换和电荷存储

B.像素单元通过MOS电容实现电荷积累

C.电荷转移过程中会有能量损失

D.输出信号为电压信号，与积累的电荷量成反比

答案：D

解析：CCD中，每个像素的光生电荷存储于MOS电容，通过时钟脉冲转移电荷，最终输出电压信号与电荷量成正比；电荷转移效率是关键参数，理想情况下无损失，但实际存在一定损失。

9.为了减小半导体光电探测器的响应时间，应采取的措施是（）

A.增大器件的结电容

B.减小器件的耗尽层宽度

C.提高材料的载流子迁移率

D.降低入射光强度

答案：C

解析：响应时间τ与载流子漂移速度（v=μE，μ为迁移率，E为电场强度）有关，迁移率μ越大，漂移速度越快，响应时间越短；结电容增大（C=εA/d）会增加RC时间常数，延长响应时间；耗尽层宽度d减小会增大结电容（C∝1/d），同样不利；入射光强度影响光电流大小，不直接影响响应时间。

10.一束线偏振