摘要
高性能半导体器件的需求增加推动着芯片特征尺寸缩小和集成度提升,对抛
光表面平整度提出更高要求,因此研发高效优质抛光磨料具有重要科学及实用价
值。近年来,光化学机械抛光(PCMP)越来越受到人们的关注。在PCMP应用
中,磨料充当光催化剂在紫外辐射下被激发,在抛光过程中产生氧化物质
-.
(·O2,OH等),促进化学(或光化学)反应层的形成,提高磨料的抛光效率。
作为稀土氧化物抛光介质,CeO2因具备与半导体晶圆发生特定化学反应以提升
摘要
高性能半导体器件的需求增加推动着芯片特征尺寸缩小和集成度提升,对抛
光表面平整度提出更高要求,因此研发高效优质抛光磨料具有重要科学及实用价
值。近年来,光化学机械抛光(PCMP)越来越受到人们的关注。在PCMP应用
中,磨料充当光催化剂在紫外辐射下被激发,在抛光过程中产生氧化物质
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(·O2,OH等),促进化学(或光化学)反应层的形成,提高磨料的抛光效率。
作为稀土氧化物抛光介质,CeO2因具备与半导体晶圆发生特定化学反应以提升
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