InGaN_GaN多量子阱结构与光学特性的深度剖析与研究.docx

InGaN/GaN多量子阱结构与光学特性的深度剖析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，InGaN/GaN多量子阱凭借其独特的物理性质，占据着举足轻重的地位。作为一种由交替排列的InGaN（铟镓氮）势阱层和GaN（氮化镓）势垒层构成的纳米级周期性结构，InGaN/GaN多量子阱利用量子限制效应，使电子能级离散化，形成量子阱能级，从而展现出卓越的光电特性。这种特性使得InGaN/GaN多量子阱在发光二极管（LED）、激光器、探测器等光电器件中得到了广泛应用，成为推动光电器件发展的关键材料之一。

在LED领域，InGaN/GaN多量子阱的应用实现了高效的发