第9章-高频电路的集成化与EDA.pptVIP

第9章高频电路的集成化与EDA;9.1高频电路的集成化

9.1.1高频集成电路的类型

集成电路是为了完成某种电子电路功能，以特定的工艺在单独的基片上或基片内形成并互连有关元器件，从而构成的微型电子电路。集成电路是微电子技术的一个方面，也是它的一个发展阶段，并也在按照自己的规律发展着。高频集成电路就是集成电路技术高度发展的产物。近年来，随着高频固态器件技术和微电子技术的发展，各种高频集成电路层出不穷。但不论如何，这些高频集成电路都可以归纳为以下几种类型:

(1)按照频率来划分，有高频集成电路、甚高频集成电路和微波集成电路(MIC)等几种。当然，根据频段的详细划分，高频集成电路也可以分得更细致。对于微波集成电路，又可以分为集中参数集成电路和分布参数集成电路两种。;(2)与普通集成电路一样，高频集成电路可分为单片高频集成电路(MHIC)和混合高频集成电路(HHIC)。混合高频集成电路是将多种不同类型的集成电路(如单片电路、普通集成电路甚至分立元件等)混合而成的高频集成电路，其集成技术简单，制作容易，因此，初期的高频集成电路多为HHIC。单片高频集成电路则是将所有的有源器件(如晶体三极管或场效应管等)和无源元件(如电阻、电容和电感等)都沉积或生长在同一块半导体基片上或基片内。单片高频集成电路在初期主要是单元高频集成电路(如高频单片集成放大器、高频单片集成混频器、高频单片集成振荡器等)。随着技术的进步，MHIC的发展十分迅速，逐渐形成了各种不同功能的高频单片集成电路、单片集成前端甚至单片集成系统(包含高频前端)。;(3)从功能或用途上来分，高频集成电路有高频通用集成电路和高频专用集成电路(HFASIC)两种。高频通用集成电路主要有高频集成放大器(包括宽带放大器、功率放大器、低噪声放大器(LNA)、对数放大器和可控增益放大器等)、高频集成混频器(Mixer)、高频集成乘法器、高频集成振荡器、高频开关电路、分频与倍频器和锁相环与频率合成器等，以及上述集成电路的相互组合。高频专用集成电路是用于专门用途的高频集成电路或系统，如正交调制解调器、单片调幅(AM)/调频(FM)接收机等。实际上，通用与专用并不一定有严格的界限。

应当指出，有些电路，如高频变压器、高频滤波器、平衡/双平衡混频器等，严格来讲不是高频集成电路(而是高频组件)，但不论从内部功能上还是从外部封装上来看，它们都与高频集成电路有相同的特点，因此，也可以把它们归入高频集成电路之列。;由于多子浓度受温度、光照和核辐射等外界因素的影响较小，因此，其温度特性比双极型晶体管要好。也就是说，在环境条件变化较大的场合，用场效应管比较好。此外，金属氧化物场效应管(MOSFET)的输入阻抗高，工艺简单，功耗小，封装密度也较高，比较适合用于大规模、超大规模集成电路中。与双极型晶体管相比，跨导小、电路增益低是场效应管的主要缺陷。但不论采用双极型工艺，还是场效应管工艺，都是在硅平面上制作晶体管的“硅技术”。;利用传统硅技术制作的高频集成电路，具有制作工艺简单、功耗小、成本低等特点，但其工作频率受限，一般认为在1～2GHz以上时不能适用。这主要是因为双极型晶体管在导电衬底上制作时，衬底与集电极之间的电容太大，这是MOSFET增益太低的缘故。可以这样说，在2GHz水平，硅占绝对优势。

另外，新技术的开发与运用也会赋予传统的硅技术以新的生命力。例如，一种双多晶硅工艺的新双极技术，可以使器件的高频特性达到几十吉赫兹。HP和Norel半导体公司联合的硅技术双波段功率放大器模块，其特征频率fＴ为25GHz。若采用渠式隔离工艺，将寄生电容减小，会把特征频率fT提高到35GHz。;2．砷化钾(GaAs)技术

以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要用在微波电路中。砷化钾集成电路自1974年由HP公司首创以来，一直用在微波系统中。作为无线通信用高频模拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的事情。

砷化钾器件的结构主要有五种:平面型肖特基势垒栅场效应管(简称平面型MESFET(金属半导体场效应管));自对准型MESFET;结型栅场效应管(JFET);金属氧化物场效应管(MOSFET);高电子迁移率晶体管(HEMT)。在砷化钾器件中，砷化钾MESFET，由于其频响、噪声、增益、功率应用等性能优于其它工艺，因而在前端(低噪声放大器(LNA)、宽带放大、功率放大器、上/下变频器和微波开关等)或单片微波集成电路(MMIC)等微波固态器件中占有相当优势，成为高频和微波集成电路中十分重要的一种器件。;图9-1砷化钾MESFET的结构;首次出现于1980年的高电子迁移率晶体管(HEMT)可以最大限度地利用砷化钾的高电子迁移率的特性。耗尽型的H