抗外磁场干扰的双气隙TMR电流传感器研究.pdfVIP

传感器与微系统（）年第卷第期

ＴｒａｎｓｄｕｃｅｒａｎｄＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ２０２５４４６

１６

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ＤＯＩ：１０．１３８７３／Ｊ．１０００９７８７（２０２５）０６００１６０５



抗外磁场干扰的双气隙电流传感器研究

ＴＭＲ

曹岚溪，梁先锋，关蒙萌，鞠登峰，胡忠强，刘明１２１２１１

（１．７１００４９

西安交通大学精密微纳制造技术全国重点实验室，陕西西安；

２．中国电力科学研究院有限公司，北京１０２２０９）

摘要

：电流传感器作为新型电力系统的重要组成部分，在强电磁干扰环境下的精度和稳定性面临极大

挑战。本文提出了一种能够有效抵抗外部磁场干扰的隧穿磁电阻（ＴＭＲ）磁敏直流电流传感器设计方案，

利用聚磁环的双气隙结构，有效降低了外部共模信号干扰，并结合外部屏蔽设计，进一步减弱了外部磁场

对测量精度的影响。在量程范围内，该传感器的线性度误差优于，且在外部磁场干扰下的

±２０Ａｐ０．５％

０．０１４％

输出变化量小于，为复杂工况下的高精度直流电流信号感知提供了有效的解决方案。

关键词：隧穿磁电阻；电流传感器；双气隙；屏蔽结构

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中图分类号：ＴＰ２１２．９文献标识码：Ａ文章编号：１０００９７８７（２０２５）０６００１６０５

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