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基于第一性原理的元素掺杂AlN性能研究.pdf

基于第一性原理的元素掺杂AlN性能研究.pdf

    摘要

    氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的重要组成部分，具有宽带隙、高击穿

    电场和高电子饱和漂移速率等优异特性，因而为高功率电子器件、深紫外光电器

    件及高频压电器件的应用奠定了基础。然而，由于受到本征缺陷和p型掺杂效率

    低等问题的制约，限制其应用的进一步发展。因此，本文基于第一性原理，研究

    了单掺杂、“受主施主”共掺杂和“受主受主”共掺杂对纤锌矿型--AlN电子结

    构、光学性质和力学性能的影响。本文主要研究结果如下：

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