Cu、Cr掺杂对Sm₂Co₁₇Cu薄膜性能调控及磁交换偏置效应的深度剖析.docxVIP

Cu、Cr掺杂对Sm?Co??Cu薄膜性能调控及磁交换偏置效应的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

稀土永磁材料作为现代科技领域的关键材料之一，凭借其高磁能积、高矫顽力和良好的热稳定性等优异性能，在众多领域发挥着不可或缺的作用。从新能源汽车的驱动电机，到风力发电的核心部件，再到电子设备中的微型电机与传感器，稀土永磁材料的身影无处不在，它极大地推动了这些领域的技术进步与发展。在新能源汽车中，高性能的稀土永磁电机能够显著提高能源利用效率，增加续航里程；在风力发电中，稀土永磁发电机可有效提升发电效率，降低成本。

Sm?Co??Cu薄膜作为稀土永磁材料的重要成员，具有独特的晶体结构和出色的磁性能，在永磁薄膜领域展现出巨大的应用潜力。然而，随着科技的飞速发展，对Sm?Co??Cu薄膜性能提出了更为严苛的要求，为了进一步优化其性能，掺杂成为一种有效的手段。

Cu、Cr掺杂对Sm?Co??Cu薄膜性能的研究具有至关重要的意义。一方面，Cu掺杂能够对薄膜的晶体结构产生显著影响，促使其形成更加稳定和有序的结构，进而提高薄膜的磁性能。例如，适量的Cu掺杂可以增强Sm?Co??相的稳定性，抑制其他不利相的生成，从而提升薄膜的矫顽力和磁能积。另一方面，Cr掺杂能够有效改善薄膜的抗氧化性能和热稳定性，这对于薄膜在高温、复杂环境下的应用至关重要。研究表明，Cr掺杂可以在薄膜表面形成一层致密的氧化膜，阻止氧气和其他有害物质的侵入，延长薄膜的使用寿命。

此外，研究Cu、Cr掺杂对Sm?Co??Cu薄膜的磁交换偏置效应，有助于深入理解薄膜的磁学特性，为开发新型自旋电子器件提供坚实的理论基础。磁交换偏置效应在自旋阀、磁传感器等器件中具有广泛的应用前景，通过对这一效应的研究，可以优化器件的性能，提高其灵敏度和可靠性。

1.2国内外研究现状

近年来，国内外学者针对Sm?Co??Cu薄膜展开了广泛而深入的研究。在制备工艺方面，脉冲激光沉积（PLD）、磁控溅射法、分子束外延法（MBE）等技术得到了广泛应用。脉冲激光沉积技术能够在高温下将Cu原子扩散到SmCo层中，有效诱导SmCo?相结晶，从而提高薄膜的磁性能；磁控溅射法则可以精确控制薄膜的成分和厚度，制备出高质量的Sm?Co??Cu薄膜。

在性能研究方面，众多学者聚焦于薄膜的晶体结构、磁性能以及磁交换偏置效应等关键领域。研究发现，薄膜的晶体结构对其磁性能有着决定性的影响，不同的晶体结构会导致磁各向异性、饱和磁化强度等磁性能参数的显著差异。同时，非磁性元素的掺杂，如Cu、Cr等，能够有效调控薄膜的磁性能和微观结构。例如，Cu掺杂可以改变Sm?Co??的晶体结构，增强其磁晶各向异性，从而提高矫顽力；Cr掺杂则可以改善薄膜的抗氧化性能和热稳定性。

对于磁交换偏置效应的研究，主要集中在铁磁/反铁磁双层膜体系。研究表明，界面处的交换耦合作用、界面粗糙度以及界面处的原子扩散等因素都会对磁交换偏置效应产生重要影响。此外，在一些基态为反铁磁的类钙钛矿锰氧化物中，由于相分离形成的铁磁团簇，也观察到了交换偏置现象。

尽管国内外在Sm?Co??Cu薄膜的研究方面取得了一定的成果，但仍存在一些亟待解决的问题。目前对于Cu、Cr掺杂对薄膜性能影响的微观机制尚未完全明晰，磁交换偏置效应的理论模型也有待进一步完善。这些问题的存在，为本文的研究提供了重要的切入点和方向。

1.3研究内容与方法

本文旨在深入研究Cu、Cr掺杂对Sm?Co??Cu薄膜性能及磁交换偏置效应的影响，具体研究内容如下：

系统研究磁性层调节对SmCo薄膜结构和性能的影响，包括不同SmCo磁性层厚度以及不同Sm含量对薄膜结构和磁性能的影响规律。通过改变磁性层的参数，观察薄膜的晶体结构、磁各向异性、饱和磁化强度等性能的变化，揭示磁性层与薄膜性能之间的内在联系。

详细探究非磁性元素调节对SmCo薄膜结构和性能的影响，重点研究非磁性元素中不同Cu含量、不同Cr含量以及不同厚度种子层Cu对SmCo/Cu/Cr薄膜的结构与磁性的影响。分析非磁性元素的掺杂如何改变薄膜的微观结构，进而影响其磁性能，为优化薄膜性能提供实验依据。

深入研究Sm?Co??薄膜的磁性交换偏置效应，包括磁性交换偏置效应的机理、影响磁性交换偏置效应的因素（如厚度影响、非磁性层的结构影响、界面对交换偏置的影响、交换偏置的温度效应等），以及磁性层与非磁性元素调节对交换偏置的影响。通过对这些因素的研究，揭示磁交换偏置效应的本质，为相关应用提供理论支持。

为实现上述研究内容，本文采用以下研究方法：

实验制备：采用脉冲激光沉积（PLD）和磁控溅射法制备不同Cu、Cr掺杂浓度的Sm?Co??