CN113488465B 半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113488465B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202110409617.9

(22)申请日2021.04.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113488465A

(43)申请公布日2021.10.08

(30)优先权数据

63/040,0922020.06.17US17/140,6632021.01.04US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人朱家宏王菘豊梁顺鑫张旭凯时定康洪宗佑蔡邦彦林耕竹

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.CI.

H10D84/83(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

(56)对比文件

CN109196653A,2019.01.11

KR20190036533A,2019.04.04

KR20190078818A,2019.07.05审查员冯翠月

权利要求书2页说明书10页附图16页

(54)发明名称

半导体器件结构、半导体器件及其形成方法

将载体衬底接合重工件的前侧去除材底的部分

将载体衬底接合重工件的前侧

去除材底的部分

选择性使源板/漏极部件从工件的背倒回进

在工件的肯例上方沉积恤刻停止层(ESL)和层间介电(TLD)层

选择性形成穿过ESL和ILD层的背倒源极接触开口以暴露源极部件

在骨侧源极接融开口中形成村整

在背侧源极接触开口中沉积外延延伸部件

在外延延伸部件上形成硅化物层

在硅化物层上方形成背侧源机接触件

在背侧泽极接触件上方形成掩埋电源轨

CN113488465B根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；

CN113488465B

CN113488465B权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件结构，包括：

源极部件和漏极部件；

至少一个沟道结构，在所述源极部件和所述漏极部件之间延伸；

栅极结构，包裹所述至少一个沟道结构的每个；

半导体层，位于所述栅极结构上方；

介电层，位于所述半导体层上方；

掺杂的半导体部件，延伸穿过所述半导体层和所述介电层以与所述源极部件接触；

金属接触插塞，位于所述掺杂的半导体部件上方；以及

掩埋电源轨，设置在所述金属接触插塞上方，

其中，所述源极部件包括与所述至少一个沟道结构接触的外部层和与所述至少一个沟道结构间隔开的内部层，并且所述掺杂的半导体部件与所述内部层接触并且与所述外部层间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述半导体层包括硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述源极部件、所述漏极部件和所述掺杂的半导体部件包括硅、硅锗或锗。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述源极部件、所述漏极部件和所述掺杂的半导体部件还包括磷、砷、锑、硼或镓。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

硅化物层，设置在所述掺杂的半导体部件和所述金属接触插塞之间的界面处。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述掺杂的半导体部件部分延伸至所述金属接触插塞中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述栅极结构的部分设置在所述至少一个沟道结构与所述半导体层之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，所述内部层和所述外部层掺杂有不同的掺杂剂。

9.一种半导体器件，包括：

源极部件和漏极部件；

多个沟道构件，沿方向设置在所述源极部件和所述漏极部件之间；

栅极结构，包裹所述多个沟道构件的每个；

硅层，设置在所述栅极结构上方；

第一介电层，设置在所述硅层上方；

第二介电层，设置在所述第一介电层上方；

金属接触部件，设置在所述第二介电层中和所述源极部件上方；以及

外延延伸部件，设置在所述源极部件和所述金属接触部件之间，

其中，所述第二介电层的部分延伸穿过所述硅层和所述第一介电层以与所述漏极部件接触，

其中，所述外延延伸部件延伸穿过所述硅层和所述第一介电层。

10.根据权利要