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(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号CN114332042B(45)授权公告日2025.07.01
(21)申请号202111661978.9
(22)申请日2021.12.30
(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114332042A
(43)申请公布日2022.04.12
(73)专利权人广东正业科技股份有限公司
地址523000广东省东莞市松山湖园区南
园路6号
(72)发明人叶兆斌魏承锋徐同
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227
专利代理师俱玉云
(51)Int.CI.
GO6T7/00(2017.01)
GO6T7/11(2017.01)
G06T7/13(2017.01)
G06T7/136(2017.01)
(56)对比文件
CN108615075A,2018.10.02
CN109767439A,2019.05.17审查员娄贝贝
权利要求书2页说明书7页附图1页
(54)发明名称
一种半导体分立元件线型检测方法及检测设备
(57)摘要
CN114332042B本发明公开了一种半导体分立元件线型检测方法,以预设的窗口分别对分立元件图像的平方及分立元件图像进行均值滤波得到滤波图像;接着根据标准差计算公式、第一滤波图像和第二滤波图像计算得到局部标准差图像,并以局部标准差图像为基础提取得到局部焊线图像,其中,由于参数w与h不相同,从而实现抑制某一方向上的梯度值的目标,具有更高的灵活性;再从分立元件图像中得到焊球中心坐标,最终可以根据预设的NG标准、局部焊线图像的焊线坐标集合S及焊球中心坐标判断半导体分立元件是否为NG;其中,由于局部焊线图像已提取过滤掉无关梯度的干扰,能简洁、快速地计算与焊球中心坐标之间的间距以判断半导体分立元件是否为
CN114332042B
CN114332042B权利要求书1/2页
2
1.一种半导体分立元件线型检测方法,其特征在于,包括:
预先设定均值滤波的滤波窗口,所述滤波窗口的宽度和高度不相等;
获取半导体分立元件的分立元件图像I(x,y);
对I(x,y)的平方进行均值滤波,得到第一滤波图像E(I2);
对I(x,y)进行均值波滤,得到第二滤波图像E(I);
根据标准差计算公式、E(I2)及E(I)计算得到局部标准差图像I;
从I中提取得到局部焊线图像IWireContours;
计算I(x,y)的焊球中心坐标(xball,Ybal?);
判断IWireContours的各像素与所述焊球中心坐标(xba?1,ybal?)之间的距离是否均在预设的距离范围内;
若是,则判定所述半导体分立元件为正常工件;
若否,则判定所述半导体分立元件为NG件。
2.根据权利要求1所述的半导体分立元件线型检测方法,其特征在于,所述步骤:从I中提取得到局部焊线图像IWireContours,具体包括:
对I。进行阈值分割,得到灰度变化区域图像I;
对I(x,y)进行阈值分割,得到所述的半导体分立元件的引脚处的引脚图像IPinMask;
令I减去IPinMask,得到中间图像,并从所述中间图像中筛选出初步焊线图像IWireMask,细化后得到局部焊线图像IWireContours°
3.根据权利要求2所述的半导体分立元件线型检测方法,其特征在于,所述步骤:对I。进行阈值分割,得到灰度变化区域图像I,具体包括:
依次对I的各像素点(x,y)的像素值进行赋值,得到灰度变化区域图像I;
所述依次对I的各像素点(x,y)的像素值进行赋值的方法,具体包括:
依次判断I的各像素点(x,y)的像素值与预设的分割阈值之积,是否小于均值图像中对应的各像素点(x,y)的像素值与分立元件图像对应的各像素点(x,y)的像素值之差;
若是,则令所述像素点(x,y)的像素值被赋值为255;
若否,则令所述像素点(x,y)的像素值被赋值为0。
4.根据权利要求2所述的半导体分立元件线型检测方法,其特征在于,所述步骤:令I减去IpinMask,得到中间图像,并从所述中间图像中筛选出初步焊线图像IWireMask,细化后得到局部焊线图像IWireContours,包括:
判断所述中间图像的面积是否位于预设的面积阈值;
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