原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
摘要
易失性忆阻器可用于构建脉冲神经元，从而实现高能效的脉冲神经网络。但
目前易失性器件还存在参数散布性大和耐受性低等问题，亟需进一步改善。为此，
本论文研究氧化铪（HfO）与氧化铝（AlO）的双层材料体系，并借助内嵌Ag
223
纳米岛改进器件电学性能。本论文做出以下研究工作，并得出有指导意义的结论：
（1）首先，研究了不同薄膜制备工艺对器件性能的影响，分别采用原子层
沉积技术
文档评论（0）