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高电压技术;目标;?重点;带电粒子的产生;碰撞电离;光电离;热电离;汤逊放电理论;电子崩;电子崩;自持放电;自持放电;自持放电;自持放电;巴申定律;巴申定律;巴申定律;巴申定律;流注的形成过程;流注的形成过程;流注的形成过程;流注的条件;流注理论的适用范围;局部放电;极不均匀电场的放电过程;极不均匀电场的放电过程;这些正离子虽朝板
极移动,但速度很
慢而暂留在棒极附近。;这些正空间电荷削弱了棒极
附近的电场强度,而加强了
正离子群外部空间的电场,
因此当电压进一步提高,随
着电晕放电区的扩展,强场
区亦将逐渐向板极方向推进,
因而放电的发展是顺利的。;(二)负极性
如图(a)所示:棒极负
极性时,电子崩将由棒极表面
出发向外发展,崩头的电子在
离开强场(电晕)区后,虽不
能再引起碰撞电离,但仍继续
往板极运动。;在图(b)中:留在棒极
附近的也是大批正离子,这
时它们将加强棒极表面附近
的电场而削弱外围空间的电
场,电场情况如图(c)所
示。;所以,当电压进一步提高时,
电晕区不易向外扩展,整个
气隙击穿将是不顺利的,因
而这时气隙的击穿电压要比
正极性时高得多,完成击穿
过程所需的时间也要比正极
性时长得多。;电晕放电;电晕放电;电晕放电;电晕放电;电晕放电;电晕放电
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