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内嵌纳米岛的氧化铪多层结构忆阻器性能优化及机理研究.pdf

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    摘要

    氧化铪（HfO）基忆阻器因可实现出色的开关性能和多值存储潜力，被广泛

    2

    应用于神经网络中突触的模拟。但单层HfO2器件存在开关比小、散布性高等问

    题限制其发展。本文通过在多层结构HfO2基忆阻器中嵌入纳米岛（NI）阵列，

    提升了其开关比、降低了其散布性，并探究了其阻变性能，具体研究内容如下：

    （1）本文制备了Pt/TaO/HfO/TaNI/TiN和Pt/TaO/HfO/TiNNI/TiN器件。

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