CN112772390A 一种促进工业大麻扦插苗水培生根的方法 （中国农业科学院麻类研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112772390A布日2021.05.11

(21)申请号202110028410.7

(22)申请日2021.01.11

(71)申请人中国农业科学院麻类研究所

地址410205湖南省长沙市岳麓区咸嘉湖

西路348号

(72)发明人邓灿辉粟建光唐蜻戴志刚程超华杨泽茂许英陈小军张小雨刘蝉

(74)专利代理机构长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙)43211

代理人刘宏

(51)Int.CI.

A01G31/00(2018.01)

A01G2/10(2018.01)

A01G7/06(2006.01)

权利要求书1页说明书4页

(54)发明名称

一种促进工业大麻扦插苗水培生根的方法

(57)摘要

CN112772390A本发明公开了一种促进工业大麻扞插苗水培生根的方法。本发明在将半木质化的工业大麻扞插苗裁剪好后，不使用植物生长调节剂浸泡扞插苗，而是直接将扞插苗用泡沫薄板固定于盛有自来水的容器中，然后向容器中加入一定浓度的磁性氧化石墨烯纳米复合物，促进工业大麻扦插苗的水培快速生根。本发明的方法操作简单，在促进工业大麻扞插苗生根的同时，能有效抑制有害菌对植物托插苗的侵染，采用本发明处理的工业大麻扞插苗在5～6天切口部位可膨大产生愈

CN112772390A

CN112772390A权利要求书1/1页

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1.一种促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，在水中加入一定浓度的磁性氧化石墨烯纳米复合物。

2.根据权利要求1所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，磁性氧化石墨烯纳米复合物为表面负载有四氧化三铁磁性纳米颗粒的氧化石墨烯和/或表面负载有三氧化二铁磁性纳米颗粒的氧化石墨烯。

3.根据权利要求1或2所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，所述磁性氧化石墨烯纳米复合物的颗粒尺寸为10～100nm。

4.根据权利要求1或2所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，所述磁性氧化石墨烯纳米复合物在水中的浓度为10～200mg/L。

5.根据权利要求1或2所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、选择生长健壮且无病虫害的半木质化工业大麻扞插苗，将扦插苗裁剪成一定长度，并剪掉底部多余叶片，仅留顶端部分叶子；

步骤二、将裁剪好的扦插苗用定植海绵固定；

步骤三、将已开孔泡沫薄板置于盛有水的容器中，容器中放入潜水泵，潜水泵在水培生根全过程中均呈开启状态；

步骤四、将固定好的扦插苗卡入泡沫薄板的孔中；

步骤五、向装有水的容器中加入磁性氧化石墨烯纳米复合物，然后将容器置于培养室中培养。

6.根据权利要求5所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤一中，将扦插苗裁剪成6～15cm枝条，并剪掉底部多余叶片，仅留顶端2～4片叶子。

7.根据权利要求5所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤二中，固定的部位为距扦插苗底部切口5～6cm的基部。

8.根据权利要求5所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤三中，水位距容器底部10～15cm。

9.根据权利要求5所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤四中，扞插苗底部浸入水中3～5cm。

10.根据权利要求5所述的促进工业大麻扞插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤五中，然后将容器置于16h光照/8h黑暗的培养室中培养，室温为25～28℃。

CN112772390A说明书1/4页

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一种促进工业大麻扦插苗水培生根的方法

技术领域

[0001]本发明涉及工业大麻扞插繁育技术领域，具体涉及一种促进工业大麻扞插苗水培生根的方法。

背景技术

[0002]大麻(CannabissativaL.)是大麻科(Cannabinaceae)大麻属(Cannabis)的一年生草本植物。工业大麻是指四氢大麻酚(THC)含量低于0.3%的大麻品种。工业大麻经济价值高，其纤维用类型和油(籽)用类型已广泛应用于纺织、食品、生物工程材料和造纸等领域。近年