半导体器件仿真：半导体物理基础_（4）.pn结理论.docx

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pn结理论

pn结的基本结构和形成过程

pn结是半导体器件中最基本的结构之一，由p型和n型半导体材料紧密结合而成。p型半导体材料中掺杂有受主杂质（例如硼），使得材料中多数载流子为空穴；n型半导体材料中掺杂有施主杂质（例如磷），使得材料中多数载流子为电子。当p型和n型半导体材料接触时，由于两侧载流子浓度的差异，会发生载流子的扩散和漂移，形成一个内建电场，从而在接触面附近形成耗尽区，即pn结。

载流子的扩散和漂移

在pn结形成初期，由于p型材料中的空穴浓度较高，而n型材料中的电子浓度较高，载流子会从高浓度区域向低浓度区域扩散。具体来说：-p型材料中的空穴