埋层硅外延片标准立项修订与发展报告.docxVIP

*

《埋层硅外延片》标准立项与发展研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheStandardizationDevelopmentofBuriedLayerSiliconEpitaxialWafers

摘要

本报告旨在系统阐述《埋层硅外延片》产品标准立项的背景、意义、核心内容及其对产业发展的重要价值。随着全球半导体产业向中国加速转移，以及我国在集成电路领域自主可控战略的深入推进，作为高端芯片制造关键基础材料的埋层硅外延片，其质量一致性、技术先进性与产业规范化水平直接关系到下游集成电路产品的性能与可靠性。当前，国内该产品虽已形成百亿级市场规模并实现稳定批量供应，但长期缺乏统一的国家或行业标准，导致产品质量评判依据不一，制约了产业的高质量发展和国际竞争力提升。

本研究基于详实的产业数据分析与国家政策导向，论证了制定《埋层硅外延片》标准的紧迫性与必要性。报告详细梳理了标准拟规定的范围、产品分类体系及涵盖电阻率、厚度、缺陷控制、图形保真度（漂移与畸变）等在内的十余项关键技术指标与测试方法。标准的制定将填补国内空白，实现对国际先进标准SEMIM61的追赶与接轨，为产品贸易、质量仲裁、技术升级提供权威依据，从而有力推动我国半导体材料产业的标准化、高端化与健康发展，支撑集成电路产业强基工程。

关键词：埋层硅外延片；半导体材料；集成电路；标准制定；技术规范；图形保真度；质量控制

Keywords:BuriedLayerSiliconEpitaxialWafer;SemiconductorMaterial;IntegratedCircuit;StandardDevelopment;TechnicalSpecification;PatternFidelity;QualityControl

正文

一、立项背景与战略意义

埋层硅外延工艺是一项在已制备有埋层电路的硅衬底上，通过化学气相沉积（CVD）等工艺，外延生长一层具有特定导电类型、电阻率、厚度及完美晶格结构的单晶硅薄膜的尖端半导体制造技术。该技术通过选择性外延生长将掺杂剂精准引入器件结构，能有效降低器件串联电阻、简化隔离工艺、显著提升器件频率特性与功率性能，因而被广泛应用于模拟集成电路、射频器件、高压功率器件等高端半导体制造领域。其工艺复杂度和对材料性能的要求远高于在普通抛光硅片上进行的常规外延。

埋层硅外延片是上述工艺的核心载体，其质量直接决定后续芯片制造的成败与性能。对外延层的电学参数均匀性、晶体缺陷密度、尤其是外延生长过程中对衬底原有埋层电路图形的保护能力有着极其严苛的要求。外延工艺必须最大限度地减少因高温过程导致的图形畸变与横向漂移，以确保与后续光刻工艺的精准套刻，这是衡量埋层外延片技术水准的关键标尺。

从国家战略层面看，埋层硅外延片产业的规范化发展高度契合国家顶层设计。国务院《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（2020年）为产业发展提供了宏观政策保障。国家标准化管理委员会《2021年国家标准立项指南》明确要求加强“关键基础材料”等强基类标准研制。《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》在“先进半导体材料”领域具体部署了“开展大尺寸硅衬底上同/异质外延关键技术研究”的任务。此外，《装备制造业标准化和质量提升规划》也强调要“加快完善集成电路标准体系”，“开展半导体材料等新型电子材料标准研究”。因此，制定《埋层硅外延片》产品标准，是落实国家系列产业政策与标准化战略的具体行动，对保障产业链安全与自主可控具有深远意义。

从产业经济规模看，根据中国电子材料行业协会半导体材料分会2020年的统计数据，我国埋层硅外延片市场已形成巨大体量，全年产出约1560万片（其中6英寸约240万片，8英寸约720万片，12英寸约600万片）。以保守单价估算，相关市场规模已超过500亿元人民币，并且随着全球电子电力器件厂商加速向中国转移制造产能，市场需求将持续增长。然而，与庞大的产业规模不相称的是，国内长期缺乏统一的埋层硅外延片产品标准。国际上，半导体设备与材料协会（SEMI）制定的SEMIM61-0612《SpecificationforSiliconEpitaxialWaferswithBuriedLayers》已实施多年，成为全球贸易与技术交流的重要依据。国内标准的缺失，导致产品质量评价体系不统一，既不利于国内企业提升技术、对标国际先进水平，也在国际贸易与技术合作中处于被动地位。

综上所述，为规范国内埋层硅外延片的生产制造、提升产品一致性与可靠性、建立公正的贸易与质量仲裁依据、最终推动整个半导体产业链的健康与高质量发展，亟需制定并发布《埋层硅外延片》国家或行业标准，填补这