CN116003459B 一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法 （安徽博泰电子材料有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN116003459B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202310083071.1

(22)申请日2023.02.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN116003459A

(43)申请公布日2023.04.25

(73)专利权人安徽博泰电子材料有限公司

地址239000安徽省滁州市全椒县十谭产

业园

(72)发明人宋福全卢志国顾二形王小亮王波刘立湘杨丰誉孙长礼

孙彦辉

(74)专利代理机构合肥正则元起专利代理事务

所(普通合伙)34160专利代理师苏宇

(51)Int.CI.

CO7F5/06(2006.01)

CO7F5/00(2006.01)

(56)对比文件

WO2020170853A1,2020.08.27

Yarema,Maksymetal..MonodisperseColloidalGalliumNanoparticles:

Synthesis,LowTemperature

Crystallization,SurfacePlasmon

ResonanceandLi-Ionbatteries.《JournaloftheAmericanChemicalSociety》.2014,第136卷(第35期),第12422-12430页.

Yarema,Maksymetal..MonodisperseColloidalGalliumNanoparticles:

Synthesis,LowTemperature

Crystallization,SurfacePlasmon

ResonanceandLi-Ionbatteries.《JournaloftheAmericanChemicalSociety》.2014,第136卷(第35期),第12422-12430页.

审查员蔡旭虹

权利要求书1页说明书6页

(54)发明名称

一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法

(57)摘要

CN116003459B本发明公开了一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法，属于半导体芯片技术领域，包括以下步骤：第一步、制备二甲基氨基锂正己烷悬浮液；第二步、制备三(二甲基氨基)镓二聚体粗品、三(二甲基氨基)铟二聚体粗品和三(二甲基氨基)铝二聚体粗品中一种；第三步、采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品，得到高纯氨基镓、铟、铝化合物；本发明采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品，不仅效率高且工艺简单，重结晶过程中产品结晶速度适中，不会形成杂质包裹，产品的晶形好，纯度≥99.9999%(6N),满

CN116003459B

CN116003459B权利要求书1/1页

2

1.一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、制备二甲基氨基锂正己烷悬浮液；

第二步、制备三(二甲基氨基)金属化合物粗品；

第三步、采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品，得到高纯氨基镓、铟、铝化合物；

其中，阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品的具体操作如下：

保护气体氛围下，将三(二甲基氨基)金属化合物粗品加入反应釜中，首次加入正己烷，60℃搅拌1h后转移至三口烧瓶中，进行首次梯度降温重结晶，完成后，去除结晶母液，将三口烧瓶脱离冷浴槽，向三口烧瓶中再次加入正己烷，升温至60℃至晶体全部溶解后，降温至室温，再次梯度降温重结晶，完成后，分离母液，结晶产物室温下真空干燥3h即可；

首次梯度降温重结晶过程具体如下：

密闭三口烧瓶并将其置于冷浴槽中，将冷却槽制冷温度分别依次设定为10℃、0℃、-10℃、-20℃、-30℃、-40℃温度段，各个温度段处理60min;

再次梯度降温重结晶与首次梯度降温重结晶操作步骤相同；

三(二甲基氨基)金属化合物粗品、首次加入正己烷、再次加入正己烷的质量比为1.6-2.5:6:2.5。

2.根据权利要求1所述的一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法，其特征在于，正己烷