Ⅲ族氮化物极化效应剖析及在光电子器件中的多元应用探究.docx

Ⅲ族氮化物极化效应剖析及在光电子器件中的多元应用探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，Ⅲ族氮化物凭借其独特的物理性质，已成为构建各类高性能光电器件的核心材料。Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）及其三元合金如铟镓氮（InGaN）、铝镓氮（AlGaN）等。这类材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率以及强的光电特性等优点，在固态照明、光通信、显示技术、紫外探测、激光加工等众多关键领域展现出巨大的应用潜力。

在固态照明方面，GaN基发光二极管（LED）以其高效、节能、长寿命等特性，逐步取代传统照明光源，引发了照明领域的重大变革，极大地推动