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Cu/In体系低温瞬态液相键合工艺及机理：微观结构与性能关联研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着5G、物联网、人工智能等新兴技术的飞速发展，电子设备正朝着小型化、高性能化、多功能化以及高可靠性的方向不断迈进。在这一发展趋势下，电子封装技术作为实现电子器件功能的关键环节，其重要性愈发凸显。电子封装不仅要为芯片提供物理保护，确保其在各种复杂环境下能够稳定工作，还要实现芯片与外部电路之间的电气连接，保障信号的高效传输，同时，还需解决芯片的散热问题，防止芯片因过热而性能下降甚至损坏。

在众多电子封装互连技术中，瞬态液相（TLP）键合工艺凭借其独特的优势脱颖而出，成为研究的热点。TLP键合工艺是利用低熔点金属与高熔点金属之间的相互作用，在一定温度下形成瞬时液相，随后通过元素扩散和反应，使液相逐渐转变为高熔点的金属间化合物或固溶体，从而实现材料的连接。这种键合工艺能够在相对较低的温度下获得高强度的接头，有效地避免了高温对电子器件造成的热损伤，减少了热应力的产生，提高了器件的可靠性。同时，TLP键合工艺还具有连接速度快、界面结合良好等优点，能够满足电子器件大规模生产的需求。

Cu/In体系作为一种重要的TLP键合材料体系，具有诸多独特的性能优势，使其在电子封装领域展现出广阔的应用前景。铟（In）具有熔点低（156.6℃）、塑性好、润湿性优良等特点，能够在较低的温度下形成液相，促进键合过程的进行。而铜（Cu）则具有优异的导电性和导热性，其电导率高达5.96×107S/m，导热率为401W/(m?K)，能够有效地保障电子器件中信号和热量的传输。此外，Cu还具有较高的强度和良好的化学稳定性，能够提高键合接头的力学性能和可靠性。将Cu与In结合形成Cu/In体系，能够充分发挥两者的优势，实现低温、高性能的键合连接。

在实际应用中，Cu/In体系TLP键合工艺已在多种电子器件中得到了应用。在先进的芯片级封装（CSP）和系统级封装（SiP）中，Cu/In体系TLP键合工艺被用于实现芯片与基板之间的互连，能够有效地提高封装密度，减小器件尺寸，同时保证信号传输的高速和稳定。在高功率电子器件中，如功率放大器、电力电子模块等，由于器件在工作过程中会产生大量的热量，对散热性能要求极高。Cu/In体系TLP键合工艺凭借其良好的导热性能，能够将芯片产生的热量快速传递出去，提高器件的散热效率，从而保证器件在高功率条件下的稳定运行。在光电子器件中，如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等，Cu/In体系TLP键合工艺能够实现芯片与封装材料之间的良好连接，提高光电器件的发光效率和可靠性。

尽管Cu/In体系TLP键合工艺在电子封装领域已取得了一定的应用成果，但目前仍存在一些亟待解决的问题，严重制约了其进一步的推广和应用。工艺参数的优化问题。TLP键合工艺涉及多个关键参数，如键合温度、键合时间、键合压力等，这些参数之间相互影响、相互制约，对键合接头的质量和性能有着显著的影响。然而，目前对于这些工艺参数的优化研究还不够深入和系统，缺乏全面、准确的理论指导，导致在实际生产中难以精确控制键合过程，从而影响了键合接头的一致性和可靠性。微观组织演变的复杂性。在Cu/In体系TLP键合过程中，会发生复杂的物理和化学变化，包括元素的扩散、金属间化合物的形成与生长等，这些变化会导致键合接头的微观组织呈现出复杂的结构和形态。目前，对于这些微观组织演变的机制和规律尚未完全明晰，这使得难以通过调控微观组织来进一步提高键合接头的性能。键合机理的深入探究不足。虽然已经对Cu/In体系TLP键合的基本过程有了一定的了解，但对于键合过程中的原子扩散机制、反应动力学以及界面结合机理等方面的研究还不够深入，这限制了对键合工艺的进一步优化和创新。

针对以上问题，深入开展Cu/In体系低温瞬态液相键合工艺及其机理的研究具有重要的现实意义和科学价值。通过对工艺参数的优化研究，可以建立起一套完善的工艺参数优化模型，为实际生产提供准确、可靠的理论依据，从而实现键合过程的精确控制，提高键合接头的质量和可靠性。对微观组织演变和键合机理的深入探究，有助于揭示键合过程中的内在规律，为开发新型的键合材料和工艺提供理论支持，推动电子封装技术的不断创新和发展。

1.2国内外研究现状

国外对于Cu/In体系TLP键合工艺的研究起步较早，在工艺参数优化方面取得了一定的成果。[国外研究团队1]通过实验研究了键合温度、时间和压力对Cu/In键合接头强度的影响，发现随着键合温度的升高和时间的延长，接头强度先增加后降低，在一定的键合压力下能够获得最佳的接头性能。他们还利用有限元模拟的方法，分析了键合过程中的应力分布，为工艺参数