WO2025138607A1 平面栅型碳化硅mosfet功率器件及其制造方法 （南京第三代半导体技术创新中心有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(10)国际公布号WO2025/138607A1(19)世界知识产权组织

(10)国际公布号

WO2025/138607A1

(43)国际公布日

WIPOIPCT2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(51)国际专利分类号：

HO1L29/78(2006.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/098076

(22)国际申请日：2024年6月7日(07.06.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311836344.12023年12月28日(28.12.2023)CN

(71)申请人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司(NANJINGTHIRDGENERATIONSEMICONDUCTORTECHNOLOGYINNOVATIONCENTERCO.,LTD.)[CN/CN];中国江苏省南京市江宁区秣周东路9号无线谷综合

楼8408、8409室(江宁开发区)211111(CN)。中国电子科技集团公司第五十五研究所(CHINAELECTRONICSTECHNO-

LOGYGROUPCORPORATIONNO.55RESEARCHINSTITUTE)[CN/CN];中国江苏省南京市秦淮区中山东路524号210016(CN)。南京第三代半导体技术创新中心(NANJINGTHIRDGENERATIONSEMICONDUCTORTECHNOLOGYINNOVATIONCENTER)[CN/CN];中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。

(72)发明人张：跃(ZHANG,Yue);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。柏松(BAI,Song);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。宋晓峰(SONG,Xiaofeng);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。

李士颜(LI,Shiyan);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。黄润华(HUANG,Runhua);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。杨勇(YANG,Yong);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。

(54)Title:PLANAR-GATESILICONCARBIDEMOSFETPOWERDEVICEANDMANUFACTURINGMETHODTHEREFOR

(54)发明名称：平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法

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WO2025/138607A1

WO2025/138607A1

图1

(57)Abstract:Aplanar-gatesiliconcarbideMOSFETpowerdeviceandamanufacturingmethodtherefor.Thedevicecomprises:acharacteristictrench(4),whichislocatedbetweenadjacentsecondconductivitytypewellregions(6)andlocatedinafirstepitaxiallayer(3);afirstcharacteristicdielectriclayer(5-1),whichislocatedatthebottomofthecharacteristictrench(4);asecondcharacteristicdielectriclayer(5-2),whichislocatedonasidewallofthecharacteristictrench(4);andacharacteristicconductivelayer(8),whichislocatedinthecharacteristictrench(4)andisenclosedbythefirstcharacteristicdielectr