CN120239369A 背接触太阳能电池及其制备方法 （隆基绿能科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120239369A(43)申请公布日2025.07.01

(21)申请号202510245384.1

(22)申请日2022.08.31

(62)分案原申请数据

202211062923.02022.08.31

H10FH10F

71/10(2025.01)10/166(2025.01)

(71)申请人隆基绿能科技股份有限公司

地址710100陕西省西安市长安区航天中

路388号

(72)发明人吴帅张东威杨建超李云朋叶枫方亮

(74)专利代理机构北京志霖恒远知识产权代理有限公司11435

专利代理师郭栋梁

(51)Int.CI.

H10F77/30(2025.01)

H10F77/20(2025.01)

权利要求书3页说明书14页附图3页

(54)发明名称

背接触太阳能电池及其制备方法

(57)摘要

CN120239369A本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个非凹槽区域和多个凹槽区域，所述非凹槽区域和所述凹槽区域交替排列在所述第一表面；遂穿氧化层和N型掺杂晶硅层；第一本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明既增大了背接触太阳能电池的制备工艺窗口，降低了工艺难度，又提高了P区的表面钝化效果，使太阳能电池的性能能达到与现有的

CN120239369A

CN120239369A权利要求书1/3页

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1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个凹槽区域和多个非凹槽区域，所述非凹槽区域和所述凹槽区域交替排列在所述第一表

面；

遂穿氧化层和N型掺杂晶硅层，所述遂穿氧化层在所述非凹槽区域上，所述N型掺杂晶硅层在所述遂穿氧化层的远离所述半导体基底的表面上；

第一本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层，所述N型掺杂晶硅层与所述P型掺杂非晶硅层的导电类型相反，所述第一本征非晶硅层在所述凹槽区域上，并延伸在所述N型掺杂晶硅层的远离所述遂穿氧化层的部分表面上，所述P型掺杂非晶硅层在所述第一本征非晶硅层的远离所述半导体基底的表面上，形成所述第一本征非晶硅层和所述P型掺杂非晶硅层与所述遂穿氧化层和所述P型掺杂多晶硅层的交错叠置区域；

隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽，所述隔离层在所述交错叠置区域中的所述第一本征非晶硅层与所述N型掺杂晶硅层之间，所述隔离槽贯穿所述交错叠置区域中的所述P型掺杂非晶硅层和所述第一本征非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凹槽区域为绒面结构；

和/或，所述非凹槽区域为绒面结构；

和/或，所述第二表面为绒面结构；

和/或，所述凹槽区域的与所述非凹槽区域相接触的边缘倾斜。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：第一电极层和第二电极层，所述第一电极层在所述隔离槽的一侧，且所述第一电极层覆盖所述P型掺杂非晶硅层，所述第二电极层在所述隔离槽的另一侧，且所述第二电极层覆盖所述P型掺杂非晶硅层和所述N型掺杂晶硅层。

4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层为透明导电层，所述第一电极层和所述第二电极层的材料各自独立地选自氧化铟锡、氧化铝锌、掺氢氧化铟和氧化铟钨中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述隔离层包括绝缘层，所述绝缘层在所述第一本征非晶硅层与所述N型掺杂晶硅层之间；

或，所述隔离层包括氮化硅层和PSG层，所述PSG层在所述N型掺杂晶硅层的远离所述隧穿氧化层的表面上，所述氮化硅层在所述PSG层的远离所述N型掺杂晶硅层的表面上。

6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，

所述氮化硅层的厚度为50~110nm;和/或

所述PSG层的厚度为25~35nm。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层包括第二本征非晶硅层和氮化硅钝化层，所述第二本征非晶硅层设置在所述第二表面上，所述氮化硅钝化层设置在所述第二本征非晶硅层的远离所述半导体基底的表面。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述半导体基底为N型半导体基底，所