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2026工艺整合招聘笔试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种材料常用于半导体工艺？

A.铜

B.铝

C.硅

D.金

2.光刻工艺的主要目的是？

A.去除杂质

B.图形转移

C.提高导电性

D.增加厚度

3.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.刻蚀

B.掺杂

C.成膜

D.清洗

4.离子注入的作用是？

A.改变表面粗糙度

B.改变材料导电类型

C.提高材料硬度

D.降低材料电阻

5.氧化工艺通常在什么气氛中进行？

A.氢气

B.氮气

C.氧气

D.氩气

6.以下哪种不属于光刻胶类型？

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.中性光刻胶

D.极紫外光刻胶

7.湿法刻蚀的优点是？

A.各向异性强

B.刻蚀速率快

C.精度高

D.可重复性好

8.化学机械抛光（CMP）的作用是？

A.表面平坦化

B.去除金属层

C.提高表面硬度

D.改变表面颜色

9.扩散工艺可用于？

A.形成绝缘层

B.材料腐蚀

C.杂质掺杂

D.表面清洗

10.以下哪个参数不是衡量芯片性能的关键指标？

A.时钟频率

B.功耗

C.尺寸大小

D.颜色

多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中的清洗工艺目的有？

A.去除有机物

B.去除金属杂质

C.去除颗粒

D.改善表面亲水性

2.光刻工艺涉及的主要步骤有？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.常见的刻蚀方法包括？

A.湿法刻蚀

B.等离子体刻蚀

C.激光刻蚀

D.机械刻蚀

4.化学气相沉积（CVD）的分类有？

A.低压化学气相沉积（LPCVD）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.大气压力化学气相沉积（APCVD）

D.超高真空化学气相沉积（UHVCVD）

5.离子注入的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.高剂量注入

D.均匀性好

6.氧化工艺的类型有？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.等离子体氧化

7.半导体制造中的材料有？

A.单晶硅

B.多晶硅

C.二氧化硅

D.氮化硅

8.影响光刻分辨率的因素有？

A.光源波长

B.光刻胶质量

C.掩膜版精度

D.光刻设备的数值孔径

9.化学机械抛光（CMP）需要用到的材料有？

A.抛光垫

B.抛光液

C.晶圆

D.刻蚀气体

10.半导体工艺整合需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本控制

C.产量和良率

D.设备稳定性

判断题（每题2分，共10题）

1.半导体工艺中，光刻是最为关键的工艺步骤之一。（）

2.离子注入只能用于P型半导体的掺杂。（）

3.湿法刻蚀比干法刻蚀更具各向异性。（）

4.化学气相沉积（CVD）只能形成非金属膜。（）

5.氧化工艺可以提高硅晶圆表面的硬度。（）

6.正性光刻胶在曝光后溶解性增强。（）

7.扩散工艺是高温工艺。（）

8.化学机械抛光（CMP）主要用于去除晶圆表面的有机物。（）

9.半导体工艺中，清洗工艺只需要进行一次。（）

10.光刻分辨率越高，芯片性能越好。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将设计图形转移到涂有光刻胶的晶圆上。曝光后光刻胶溶解性改变，显影去除部分光刻胶，图形即留在晶圆表面光刻胶上，为后续刻蚀等工艺做准备。

2.化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）的区别是什么？

CVD是通过化学反应在基底表面沉积薄膜，可精确控制成分和结构，适合复杂形状；PVD是物理过程，如蒸发、溅射，靠原子或分子直接沉积，工艺简单，常用于金属膜沉积。

3.离子注入后为什么要进行退火处理？

离子注入会破坏晶格结构、产生缺陷。退火能修复晶格损伤，使注入杂质激活并进入晶格正确位置，恢复材料电学性能，提高器件稳定性与可靠性。

4.湿法刻蚀和干法刻蚀各有什么优缺点？

湿法刻蚀优点是设备简单、成本低、刻蚀速率快；缺点是各向异性差、精度低、有侧向腐蚀。干法刻蚀优点是各向异性强、精度高、可重复性好；缺点是设备昂贵、成本高、刻蚀速率慢。

讨论题（每题5分，共4题）

1.工艺整合在半导体制造中的重要性体现在哪些方面？

工艺整合能优化各工艺步骤衔接，提高芯片性能和良率。可降低成本、提高生产效率，确保不同工艺相互兼容，避免工艺冲突影响产品质量，还能加快新产品研发和量产速度。

2.随着半导体技术的发展，光刻工艺面临哪些挑战？

光源波长缩短难度大，光刻胶性能需提升以满足高分辨率需求。掩膜版制作成本高且精度要求高，光刻设备数值孔