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探秘GaN基层质结：从基础原理到电子器件的创新突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，第一代半导体材料以硅（Si）、锗（Ge）为代表，自二十世纪五十年代兴起，有力地推动了以集成电路为核心的微电子产业迅猛发展，广泛应用于消费电子、通信、光伏、军事以及航空航天等诸多领域。第二代半导体材料则是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）为主的化合物半导体，主要用于制作高频、高速以及大功率电子器件，在卫星通讯、移动通信以及光通讯等领域发挥着关键作用，如砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的核心器件，砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。

随着科技的不断进步，第一、