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2025及未来5年中国场效应晶体管行业市场前景预测及投资战略研究报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、场效应晶体管底层物理机制演进与材料体系重构 5
1.1硅基FinFET向GAA晶体管过渡的量子隧穿抑制机理 5
1.2二维层状半导体沟道材料载流子迁移率提升路径 7
1.3高介电常数栅堆栈界面态密度控制技术突破 10
二、先进制程节点下器件架构的异构集成范式 12
2.1纳米片FET与CFET三维堆叠结构应力工程优化 12
2.2晶圆级单片集成背道供电网络布线密度极限分析 14
2.3多物理场耦合仿真指导的热-电
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