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国家标准

表面化学分析射线光电子能谱

X

氧化硅层厚度的测量

Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—Measurementofsiliconoxide

thickness

编制说明

GB/T25188国标编制工作组

（ISO14701:2018，IDT）

（XXX）

（修订GB/T25188-2010）

2025年9月日

国家标准

表面化学分析X射线光电子能谱

氧化硅层厚度的测量

编制说明

一、工作简况

1.1任务来源

2024年8月国标复审，准备修定。2025年1月提交了修订本标准项目建议

书，计划等同采标ISO14701：2018，修订本标准。2025年8月7日国家标准化

管理委员会下达修订计划任务（国标委发【2025年】XXX号文件），任务计划

编号为T-491，由季华实验室等负责起草，任务周期为12个月。

1.2目的意义

测量硅晶片表面氧化硅层厚度的方法有很多，这些方法通常适用于厚度超过

20nm的氧化层。而测量10nm以下的厚度通常很重要，需要采用X射线光电子

能谱法(XPS)方法解决8nm以下厚度范围的测量问题。现行国标于2010年发布，

采标ISO25188：2010.国标文本提供了超薄氧化硅层厚度的测量的技术方法，对

于利用XPS无损获取氧化硅层厚度的计算工作极具指导作用，发挥了很好的社

会效益，得到了广泛的应用。随着新仪器新设备技术的发展，以及XPS测试工

作的需求，急需对标准中的技术内容进行修订，以适应发展需求。同时，也是为

了保持标准技术内容的先进性，与国际接轨。此标准为基础方法标准，国内没有

可替代的标准文本。特申请修订此国标。

1.3修订主要内容

现行国标提供了超薄氧化硅层厚度的测量的技术方法。同时，它还可作为测

量基底上许多薄膜厚度的基础。之前，我国参加过ISO相关专业标准的修订审

查，了解此标准方面ISO修订内容和新进展。本次计划修订国标，依照ISO14701：

2018，主要对其中一些技术内容完善，能更好地满足新的氧化硅层厚度的测量分

析需求，获得更加可靠的XPS结果。重新对标准文本中所有内容进行审定。主

要修订技术内容包括：1）将适用范围扩展为测量厚度在1nm到8nm范围内的

热氧化物；2）增加了较低精度（最佳值为2%）下更快速、更简单的厚度测量方

2

法（见2018年版的6.5.5、6.5.6和6.6.3）。

1.4制定背景及起草人分工情况

测量硅晶片表面氧化硅层厚度的方法有很多，这些方法通常适用于厚度超过

20nm的氧化层。而测量10nm以下的厚度通常很重要，本文件采用X射线光电

子能谱法(XPS)解决了8nm以下厚度范围的测量问题。对于薄膜层，为使其与基

底结合良好，需在界面处形成强原子间键合作用，以致界面处存在单层或更多层

与基底间的界面材料，由此增加了此厚度范围内薄膜厚度测量的难题。这种材料

不一定是热力学稳定的体相材料；此外，如果薄膜层具有活性，其外表面可能已

经与环境发生了反应，因此外表面在制造和测量之间会发生变化。对于硅上二氧

化硅的特殊情况，在界面上可能存在亚氧化物单层，而在表面则吸附了含有碳原

子、氧原子、可能还有氢原子的物质。这些影响导致许多方法推导出的厚度存在

偏差，虽然这些方法可以可靠地测量一个试样和另一个试样之间的厚度变化，但

很难确定绝对厚度。

本文件中描述的程序提供了高精度（