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宽禁带半导体材料光学性质的深度剖析与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技迅猛发展的浪潮中，半导体材料作为信息技术的基石，始终处于科技变革的核心地带。从第一代以硅（Si）、锗（Ge）为代表的元素半导体，到第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的化合物半导体，再到如今崭露头角的以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的宽禁带半导体，每一次半导体材料的革新都为人类社会带来了翻天覆地的变化。

宽禁带半导体材料，通常是指禁带宽度大于2.2eV的半导体，与传统的窄禁带半导体材料相比，具有一系列卓越的物理性质。其高击穿电场强度，能够承受更高的电压，这使得基于宽禁带半导