CN112786731B 双色红外探测器及其制作方法 （苏州晶歌半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112786731B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202110103882.4

(22)申请日2021.01.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112786731A

(43)申请公布日2021.05.11

(73)专利权人苏州晶歌半导体有限公司

地址215000江苏省苏州市苏州工业园区

金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300-44工位(集群登记)

H10F77/124(2025.01)

H10F77/14(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

(56)对比文件

US2018019269A1,2018.01.18审查员张子平

(72)发明人黄勇张立群

(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304

专利代理师孙伟峰武岑飞

(51)Int.CI.

H10F30/21(2025.01)权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

双色红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN112786731B本发明公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本发明还公开了一种双色红外探测器的制作方法。本发明的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/

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CN112786731B权利要求书1/2页

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1.一种双色红外探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上制作形成层叠的中波长红外探测器和长波长红外探测器；

其中，在衬底上制作形成层叠的中波长红外探测器和长波长红外探测器的方法包括以下步骤：

步骤一、利用P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格在衬底上制作形成中波通道接触层；

步骤二、利用P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格在所述中波通道接触层上制作形成中波通道吸收层；

步骤三、利用N型InPSb/InAs超晶格在所述中波通道吸收层上制作形成中波通道势垒层；

步骤四、利用N型InPSb/InAs超晶格在所述中波通道势垒层上制作形成中波通道连接层；

步骤五、利用N型InPSb/InAs超晶格在中波通道连接层上制作形成长波通道连接层；

步骤六、利用N型InPSb/InAs超晶格在所述长波通道连接层上制作形成长波通道势垒层；

步骤七、利用P型InAs/GaSb超晶格在所述长波通道势垒层上制作形成长波通道吸收层；

步骤八、利用P型InAs/GaSb超晶格在所述长波通道吸收层上制作形成长波通道接触层；

步骤九、在所述中波通道接触层上制作形成第一电极，且在所述长波通道接触层上制作形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述中波通道势垒层的有效带宽大于所述中波通道吸收层的有效带宽.且所述中波通道势垒层的导带与所述中波通道吸收层的导带平齐；和/或，所述长波通道势垒层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽，且所述长波通道势垒层的导带与所述长波通道吸收层的导带平齐。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述中波通道吸收层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽。

4.一种由权利要求1至3任一项所述的制作方法制作形成的双色红外探测器，其特征在于，所述双色红外探测器包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格