CN113948530B 半导体装置及半导体装置的制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113948530B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202110300410.8

(22)申请日2021.03.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113948530A

(43)申请公布日2022.01.18

(30)优先权数据

10-2020-00878322020.07.15KR

(73)专利权人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人李建泳金昶汉尹盛铉

(51)Int.CI.

H10B51/30(2023.01)

H10B51/20(2023.01)

(56)对比文件

CN110556382A,2019.12.10CN108987400A,2018.12.11审查员张敬文

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师刘久亮黄纶伟

权利要求书2页说明书15页附图40页

(54)发明名称

半导体装置及半导体装置的制造方法

(57)摘要

本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道层，其穿过层叠结构；铁电层，其围绕沟道层的侧壁；第一电介质层，其围绕铁电层的侧壁；以及牺牲图案，其插置于第一电介质层和绝缘层之间并且包括比第一电介质层具有更高介电常数的材料。

ST

113948530B

CN

CN113948530B权利要求书1/2页

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1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层叠结构，所述层叠结构具有彼此交替层叠的多个导电层和多个绝缘层；

沟道层，所述沟道层穿过所述层叠结构；

铁电层，所述铁电层围绕所述沟道层的侧壁；

第一电介质层，所述第一电介质层围绕所述铁电层的侧壁；以及

牺牲图案，所述牺牲图案插置于所述第一电介质层和所述绝缘层之间，所述牺牲图案包括比所述第一电介质层具有更高介电常数的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘层中的每一个包括插置于所述多个导电层之间的第一部分和比所述导电层朝向所述沟道层进一步突出的第二部分。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有倒圆的边缘。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述铁电层包括在所述铁电层的侧壁上的沟槽，并且

其中，所述沟槽位于与所述绝缘层相对应的高度处。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第二电介质层，所述第二电介质层插置于所述第一电介质层和所述铁电层之间，所述第二电介质层具有比所述第一电介质层具有更高介电常数的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第二电介质层，所述第二电介质层插置于所述第一电介质层和所述铁电层之间，所述第二电介质层具有比所述铁电层具有更大能带隙的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第三电介质层，所述第三电介质层插置于所述铁电层与所述沟道层之间，所述第三电介质层具有比所述第一电介质层具有更高介电常数的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第三电介质层，所述第三电介质层插置于所述铁电层与所述沟道层之间，所述第三电介质层具有比所述铁电层具有更大能带隙的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘层中的每一个包括气隙。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述铁电层包括插置于所述沟道层和所述多个导电层之间的多个铁电图案，所述多个铁电图案彼此分离。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电介质层包括比所述铁电层具有更大能带隙的材料。

12.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成具有彼此交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构；

形成穿过所述层叠结构的第一开口，所述第一开口具有内壁，所述内壁具有比所述第一材料层进一步突出的所述第二材料层；

在所述第一开口中形成牺牲层；

在所述牺牲层中形成第一电介质层，所述第一电介质层比所述牺牲层具有更低的介电常数；

在所述第一电介质层中形成铁电层；以及

在所述铁电层中形成沟道层。

CN113948530B权利要求书2/2页

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13.根据权利要求12