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- 2026-01-15 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号CN114927303B(45)授权公告日2025.07.04
(21)申请号202210633344.0
(22)申请日2022.06.07
(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114927303A
(43)申请公布日2022.08.19
H01F41/02(2006.01)
(56)对比文件
JP2022040501A,2022.03.11CN106158220A,2016.11.23审查员李婷婷
(73)专利权人中国科学院宁波材料技术与工程
研究所
地址315201浙江省宁波市镇海区庄市大
道519号
(72)发明人贺爱娜张瑞恒董亚强黎嘉威
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227
专利代理师刘颖
(51)Int.CI.
HO1F1/147(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图2页
(54)发明名称
一种纳米晶磁芯、纳米晶电感及其制备方法
(57)摘要
CN114927303B本发明属于电感元件技术领域,本发明提供了一种纳米晶磁芯、纳米晶电感及其制备方法,所述纳米晶磁芯由铁基合金非晶直带材依次经闪速加热磁弹应力处理、纳米晶化处理、磁场热处理而成;所述纳米晶磁芯的饱和磁感应强度大于1.24T,所述铁基合金非晶直带材的合金成分为Fe-Si-B-Nb-Cu-M?,M为Mo、V、Mn、Al、Cr、P中的一种或多种,且0≤f3。所述的纳米晶磁芯兼具高的饱和磁感应强度和高磁导率,且软磁性能优异,应用本发明提供的纳米晶磁芯得到高磁感纳米晶电感,其具有良好的频率阻抗特性和插入损
CN114927303B
CN114927303B权利要求书1/1页
2
1.一种纳米晶磁芯,其特征在于,所述纳米晶磁芯由铁基合金非晶直带材依次经闪速加热磁弹应力处理、纳米晶化处理、磁场热处理而成;所述闪速加热磁弹应力处理的温度为390-500℃,磁弹应力为1-50MPa,闪速加热速率为10-200K/s,磁弹应力保温时间为2-16s;所述纳米晶化处理的温度为540-600℃,保温时间为30-75min;所述磁场热处理的温度为360-500℃,保温时间为30-180min,施加磁场方向垂直于样品的圆周方向,磁场强度为10-64kA/m;
所述纳米晶磁芯的饱和磁感应强度大于1.24T,所述铁基合金非晶直带材的合金成分
为FeSi?BNbCuM;且74≤a≤78,9≤b≤13,6≤c≤8,0.5≤d≤3,0.5≤e≤1.5,0f≤2.5。
2.一种纳米晶电感,由权利要求1所述的纳米晶磁芯、护盒和两组同向绕制的线圈组成。
3.如权利要求2所述的纳米晶电感,其特征在于,所述护盒由耐高温树脂材料制成,所述的线圈线径为0.6-1.2mm,且线圈仅绕制一层。
4.如权利要求2所述的纳米晶电感,其特征在于,所述纳米晶电感在100kHz下单匝电感≥5μH,插入损耗≥30dB,0-5A单匝电感衰减率≤10%。
5.如权利要求2-4任一项所述的纳米晶电感的制备方法,包括以下步骤:
S1、将铁基合金非晶直带材依次经闪速加热磁弹应力处理、纳米晶化处理、磁场热处理,得到高磁感的纳米晶磁芯;
S2、将所述高磁感的纳米晶磁芯装入护盒进行保护,所述保护后的磁芯用漆包线绕制两组同向共模线圈,得到所述纳米晶电感。
CN114927303B说明书1/10页
3
一种纳米晶磁芯、纳米晶电感及其制备方法
技术领域
[0001]本发明属于电感元件技术领域,具体涉及一种纳米晶磁芯、纳米晶电感及其制备方法。
背景技术
[0002]随着新能源汽车和5G通讯的快速发展,其中的电子设备在使用过程中总会存在着大量的高频电磁波,这些电磁波会通过外接线向外发射,影响其它设备的正常工作。为了消除信号线上输入的干扰信号及感应的各种干扰,必须合理安排滤波电路来过滤共模干扰,纳米晶电感就是滤波电路中一个重要的组成部分。纳米晶电感不仅可以滤除信号线上的共模电磁干扰,而且可以抑制本身不向外发出电
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