CN111755473B 发光二极管、其制造方法以及包括所述发光二极管的显示装置 （三星显示有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111755473B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202010173581.4

(22)申请日2020.03.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111755473A

(43)申请公布日2020.10.09

(30)优先权数据

10-2019-00345172019.03.26KR

(73)专利权人三星显示有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人张喆畋权柄赫李昌熙许明洙卢喆来金载训崔贞惠

(51)Int.CI.

H10K50/844(2023.01)

H10K50/115(2023.01)H10K71/00(2023.01)

(56)对比文件

CN105261707A,2016.01.20CN106374051A,2017.02.01审查员罗永鑫

(74)专利代理机构北京英赛嘉华知识产权代理

有限责任公司11204专利代理师王达佐洪欣

权利要求书2页说明书18页附图12页

(54)发明名称

发光二极管、其制造方法以及包括所述发光二极管的显示装置

(57)摘要

根据本公开内容的实施方案的发光二极管包括第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层，所述发射层包含量子点；在所述第一电极与所述发射层之间的第一电荷转移层；在所述第二电极与所述发射层之间的第二电荷转移层；以及在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或

CN111755473B在所述第二电荷转移层与所述发射层之间的至少一个位置中的绝缘层，其中所述绝缘层包含无机材料。所述发光二极管和包括所述发光二极管

CN111755473B

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CN111755473B权利要求书1/2页

2

1.发光二极管，包括：

第一电极；

与所述第一电极相对的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层，所述发射层包含量子点；

在所述第一电极与所述发射层之间的第一电荷转移层；

在所述第二电极与所述发射层之间的第二电荷转移层；以及

在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层之间的绝缘层，

其中所述绝缘层包括包含无机材料的无机绝缘层、以及包含有机材料的有机绝缘层，其中所述有机材料包括选自正己烷、呋喃和六甲基二硅氧烷中的至少一种。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述绝缘层包含选自SiN、Si0、Al?0?、Ti?和Zr?中的至少一种，其中0.1≤x≤2.0。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述绝缘层包括包含所述无机材料的多个无机绝缘层和包含所述有机材料的多个有机绝缘层，以及

所述多个无机绝缘层和所述多个有机绝缘层在所述绝缘层中是交替的。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中

所述第一电荷转移层包括：

与所述第一电极相邻的空穴注入层；以及

在所述空穴注入层与所述发射层之间的空穴传输层，以及所述第二电荷转移层包括：

与所述第二电极相邻的电子注入层；以及

在所述电子注入层与所述发射层之间的电子传输层。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中所述量子点包括基于镉的材料，以及所述绝缘层在所述电子传输层与所述发射层之间。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述绝缘层接触所述发射层。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述绝缘层的厚度是0.1nm至10nm。

8.显示装置，包括多个发光二极管，其中所述多个发光二极管中的每一个发光二极管包括：

第一电极；

与所述第一电极相对的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层，所述发射层包含量子点；

在所述第一电极与所述发射层之间的第一电荷转移层；

在所述第二电极与所述发射层之间的第二电荷转移层；以及

在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层之间的绝缘层，

其中所述绝缘层包括包含无机材料的无机绝缘层、以及包含有机材料的有机绝缘层，其中所述有机材料包含选自正己烷、呋喃和六甲基二硅氧烷中的至少一种。

9.用于制造发光二极管的方法，所述方法包括：

在第一电极上形成包含量子点的发射层；

在所述发射层上来形成绝缘层；以及

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