CN113257789B 集成芯片、晶片结合的方法以及在晶片上形成标记的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113257789B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202011221231.7

(22)申请日2020.11.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113257789A

(43)申请公布日2021.08.13

(30)优先权数据

16/884,4372020.05.27US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人黄信华刘丙寅

(51)Int.CI.

H01L23/544(2006.01)H01L21/50(2006.01)

(56)对比文件

JP2015018919A,2015.01.29US2005079689A1,2005.04.14US2012313236A1,2012.12.13

审查员黄琴

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限

公司32243专利代理师王素琴

权利要求书3页说明书18页附图17页

(54)发明名称

1000--1004e

1000-

-1018

1002

k-1004e

1020

1030

1004七

-1028

1006-

1016

(57)摘要

本公开的实施例涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括：结合结构，直接布置在第一衬底与第二衬底之间。第一衬底包括第一透明材料以及第一对齐标记。第一对齐标记布置在第一衬底的

CN113257789B外侧区上且还包含第一透明材料。第一对齐标记由第一衬底的布置在第一衬底的最上表面与第一衬底的最下表面之间的表面界定。第二衬底包括：第二对齐标记，位于第二衬底的外侧区上。第二对齐标记直接位于第一对齐标记之下且结合

CN113257789B

CN113257789B权利要求书1/3页

2

1.一种集成芯片，其特征在于，包括：

第一衬底，包括：

第一透明材料，以及

第一对齐标记，位于所述第一衬底的外侧区上且包含所述第一透明材料，其中所述第一对齐标记由所述第一衬底的布置在所述第一衬底的最上表面与所述第一衬底的最下表面之间的表面界定；

第二衬底，包括：

第二对齐标记，位于所述第二衬底的外侧区上，其中所述第二对齐标记直接位于所述第一对齐标记之下；以及

结合结构，直接布置在所述第一衬底的所述最上表面与所述第二衬底的最上表面之间且直接布置在所述第一对齐标记与所述第二对齐标记之间，

其中所述第一对齐标记包括：布置在所述第一衬底的所述最下表面与所述第一衬底的所述最上表面之间的最下表面，布置在所述第一对齐标记的所述最下表面与所述第一衬底的所述最上表面之间的第一中间表面，布置在所述第一对齐标记的所述第一中间表面与所述第一衬底的所述最上表面之间的第二中间表面，将所述第一中间表面直接连接到所述第一对齐标记的所述最下表面的第一侧壁，以及将所述第二中间表面直接连接到所述第一中间表面的第二侧壁，且

其中所述第一对齐标记的所述最下表面的宽度等于第一距离，其中所述第一中间表面的宽度等于第二距离，其中所述第一侧壁的高度等于第三距离，其中所述第二中间表面的宽度等于第四距离，其中所述第二侧壁的高度等于第五距离，以及其中所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离、所述第四距离及所述第五距离彼此相等。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第二衬底及所述第二对齐标记包含第二透明材料，且其中所述第二对齐标记由所述第二衬底的布置在所述第二衬底的所述最上表面与所述第二衬底的最下表面之间的表面界定。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第二对齐标记包含金属。

4.一种将第一晶片结合到第二晶片的方法，其特征在于，包括：

将第一晶片装载到第一晶片夹盘上且将第二晶片装载到第二晶片夹盘上，

其中所述第一晶片面对所述第二晶片，其中所述第一晶片包含第一透明材料，

其中所述第一晶片包括第一对齐标记，所述第一对齐标记包含所述第一透明材料，且所述第一对齐标记包括：布置在所述第一晶片的最下表面与所述第一晶片的最上表面之间的最下表面，布置在所述第一对齐标记的所述最下表面与所述第一晶片的所述最上表面之间的第一中间表面，布置在所述第一对齐标记的所述第一中间表面与所述第一晶片的所述最上表面之间的第二中间表面，将所述第一中间表面直接连接到所述第一对齐标记的所述最下表面的第一