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材料物理性能部分课后习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.下列哪种材料通常表现出明显的塑性变形能力？（）

A.脆性陶瓷

B.纯金属

C.高分子聚合物

D.某些金属玻璃

2.材料的杨氏模量（E）主要反映其（）。

A.硬度

B.延展性

C.弹性变形抵抗能力

D.屈服强度

3.金属材料的强度随晶粒尺寸减小而提高的现象称为（）。

A.蠕变现象

B.应力腐蚀

C.韧性

D.准静态强韧化效应（或称Hall-Petch效应）

4.下列哪个物理量是描述材料热膨胀特性的？（）

A.热导率

B.热扩散系数

C.线膨胀系数

D.比热容

5.半导体材料硅（Si）在室温下主要表现为（）。

A.金属导体

B.绝缘体

C.p型半导体

D.n型半导体

6.材料的电阻率与其（）有关。

A.晶体结构

B.温度

C.应力状态

D.以上都是

7.具有自发磁化现象的材料是（）。

A.顺磁性材料

B.抗磁性材料

C.铁磁性材料

D.铁电材料

8.折射率是描述材料（）的物理量。

A.对光的吸收能力

B.对光的散射能力

C.对光的偏振能力

D.对光的折射能力

9.某材料的热导率随温度升高而增大，这种材料更可能是（）。

A.金属

B.绝热材料

C.离子晶体

D.分子晶体

10.下列性能中，哪一项主要描述材料在冲击载荷下吸收能量并抵抗断裂的能力？（）

A.强度

B.硬度

C.韧性

D.延展性

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

1.材料的硬度通常定义为抵抗_________压入其表面的能力。

2.在金属的位错运动中，_________是指位错线运动时需要克服的阻碍。

3.晶体的热膨胀主要是由组成晶体的原子或分子的_________随温度变化而产生的。

4.纯金属通常具有_________电导率，而半导体电导率对温度和杂质_________。

5.磁性材料的基本磁化单位是_________。

6.光从光密介质射向光疏介质时，折射角_________（大于/小于）入射角。

7.高分子材料通常表现出比金属材料更低的_________和更高的_________。

8.描述材料抵抗局部颈缩并发生断裂的能力的力学性能指标是_________。

9.热导率是描述材料_________能力的物理量。

10.某些材料在特定条件下表现出电阻随温度升高而_________的特性，这种现象称为半导体热敏效应。

三、简答题（每小题5分，共15分）

1.简述金属材料发生塑性变形的微观机制。

2.解释热膨胀现象的物理原因，并说明线膨胀系数的物理意义。

3.简述影响金属材料疲劳极限的主要因素。

四、计算题（每小题10分，共20分）

1.某金属丝长1.0m，截面积1.0x10^-6m^2，在100N的拉力作用下伸长了0.02mm。求该金属丝的杨氏模量。（请写出公式和计算过程）

2.一块厚度为2mm的金属材料，其线膨胀系数为12x10^-6/K。当温度从300K升高到500K时，该材料厚度的变化量为多少？（请写出公式和计算过程）

试卷答案

一、选择题

1.B

2.C

3.D

4.C

5.B

6.D

7.C

8.D

9.A

10.C

二、填空题

1.划痕

2.力场（或应力）

3.位置（或振动）

4.高；敏感（或显著）

5.磁矩（或磁极）

6.大于

7.强度；韧性

8.韧性（或断裂韧性）

9.传热（或热传递）

10.降低

三、简答题

1.金属材料发生塑性变形的微观机制主要是位错运动。在外力作用下，晶体中的位错（晶体缺陷）在外加应力驱动下发生移动。位错在移动过程中可能相互交割、缠结或受到晶界、杂质等障碍物的阻碍。随着外力持续作用，位错不断运动并累积变形，最终导致材料发生宏观上的塑性变形。

2.热膨胀现象的物理原因在于，温度升高时，构成物质的原子或分子的热振动（或振动幅度）增强，导致原子间的平均距离增大，从而使整个物体的体积或长度发生膨胀。线膨胀系数是描述材料在单位温度变化