CN120067770B 基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法 （深圳市华朔半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN120067770B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202510529036.7

(22)申请日2025.04.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN120067770A

(43)申请公布日2025.05.30

GO6F18/25(2023.01)

GO6F18/10(2023.01)

GO1R31/26(2020.01)

(56)对比文件

US2014091840A1,2014.04.03WO2020211326A1,2020.10.22

(73)专利权人深圳市华朔半导体有限公司

地址518000广东省深圳市龙华区民治街

道白石龙社区新龙大厦2009

审查员曹春晓

(72)发明人周锦旗张含清

(74)专利代理机构北京萤火虫知识产权代理事务所(普通合伙)16158

专利代理师田亚飞

(51)Int.CI.

GO6F18/24(2023.01)

GO6F18/21(2023.01)权利要求书3页说明书10页附图2页

(54)发明名称

基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评

S1.

S1.从MOSFET的栅极驱动通道中采集开关操作过程中随时间变化的栅极电压曲线Vg(t)与电荷累积曲线Qg(t),并计算电荷响应参数，再与获取在栅极导通临界点扰动范围内的电荷响应变化量Zeta,组成原始参数数据集RPS;

S2、基于所述原始参数数据集RPS,提取反映不同负载属性变化的特征向量集合，形成结构化特征集FV;

53、基于所述结构化特征集FV,建立电荷行为识别模型，进行负载类型识别，输出任务下的负载标签LT,通过多因子函数计算顾时开关损耗估值LE;

S4、对所述开关损耗估值LE与电荷行为识别模型输出的最大识别置信度值CM进行融合处理，生成综合状态评估指标SSE;

S5、通过所述综合状态评估指标SSE与预设的状态评估阈值TE进行对比，并根据对比结果进行判断进入驱动控制策路调整流程，生成驱动策略调整指令集DCS;

S6、对生成的所述躯动策略调整指令集DCS进行应用，并重新采集栅极电荷行为数据，形成新的参数集RPSN,提取新的特征向量FVN,获取差分特征向量DV,再根据所述差分特征向量DV进

行迭代优化。

(57)摘要

CN120067770B本发明公开了基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法，涉及电荷分析技术领域，通过采集场效应管栅极侧的电压曲线Vg(t)与电荷累积曲线Qg(t),构建原始参数数据集RPS,并在此基础上提取能够反映不同负载属性变化特征的结构化特征集FV,从而避免了输出侧波动带来的识别干扰问题，此外，通过构建电荷行为识别模型实现对负载标签LT的快速判定，并结合模型输出的最大识别置信度值CM与开关损耗估值LE,生成综合状态评估指标SSE,在策略执行前即可动态感知识别可信度与实际能耗之间的协同关系，提升了策略决策的敏感性与鲁棒性，显著

CN120067770B

CN120067770B权利要求书1/3页

2

1.基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、从MOSFET的栅极驱动通道中采集开关操作过程中随时间变化的栅极电压曲线Vg(t)与电荷累积曲线Qg(t),并计算电荷响应参数，再与获取在栅极导通临界点扰动范围内的电荷响应变化量Zeta,组成原始参数数据集RPS;

S2、基于所述原始参数数据集RPS,提取反映不同负载属性变化的特征向量集合，形成结构化特征集FV;

S3、基于所述结构化特征集FV,建立电荷行为识别模型，进行负载类型识别，输出任务下的负载标签LT,通过多因子函数计算瞬时开关损耗估值LE;

所述S3包括S32;

S32、基于获取的所述负载标签LT和所述结构化特征集FV调用内置的能耗评估模型，所述能耗评估模型为一组基于经验数据与开关行为规律构建的能耗估算算法，用于判断场效应管在特定负载特性条件下的典型导通与关断损耗水平；

所述能耗评估模型设有两个输入接口，所述输入接口包括特征向量接口和负载标签接

口；

所述特征向量接口用于接收所述结构化特征集FV,代表当前周期栅极控制行为的响应

特征