CN119698091B 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119698091B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202510195903.8

(22)申请日2025.02.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119698091A

(43)申请公布日2025.03.25

(73)专利权人晶芯成(北京)科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司(72)发明人陈维邦

(51)Int.CI.

H10F39/12(2025.01)

H10F39/18(2025.01)

(56)对比文件

CN119208347A,2024.12.27审查员迟昊

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505专利代理师鲍诗娴

权利要求书2页说明书9页附图5页

(54)发明名称

半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器

(57)摘要

本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构包括：基底和形成于基底表面的光电功能层；光电功能层包括光电感应层和用于将光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；光电感应区包括多个层叠设置的光电感应材料层和沿光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；跨层掺杂结构与光电感应层掺杂类型相同；其中，跨层掺杂结构通过离子注

CN119668091B入工艺形成；以光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和光电感应材料层的厚度方向，沿光电感应层的法线方向，形成跨层掺杂结构的离子注入深度至少大于与基底距离最远的光电感

CN119668091B

230

230

-280

240

101

105-

106[1062104

263-

300

CN119698091B权利要求书1/2页

2

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底表面形成光电功能层；所述光电功能层用于基于光电效应实现光电信号转换；所述光电功能层包括光电感应层和用于将所述光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；所述光电感应区包括四个层叠设置的光电感应材料层和沿所述光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；所述跨层掺杂结构的掺杂类型与所述光电感应层的掺杂类型相同；

其中，所述半导体结构还包括形成于所述隔离结构远离所述基底的一侧的目标格栅结构；在所述基底上制备光电功能层的步骤，包括：在所述基底上形成多个所述光电感应区和所述隔离结构；在所述光电感应区远离所述基底的一侧形成过渡格栅结构，并在所述隔离结构远离所述基底的一侧形成目标格栅结构；其中，所述过渡格栅结构和所述目标格栅结构交替间隔分布；以所述过渡格栅结构和所述目标格栅结构为掩膜，利用离子注入工艺在所述光电感应区内形成所述跨层掺杂结构；去除所述过渡格栅结构；

其中，以所述光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和所述光电感应材料层的厚度方向，沿所述光电感应层的法线方向，形成所述跨层掺杂结构的离子注入深度大于所述四个光电感应材料层中除与所述基底距离最近的光电感应材料层外其余光电感应材料层的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻的所述过渡格栅结构和所述目标格栅结构之间的距离落入500nm~1000nm范围内。

3.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构根据如权利要求1或2所述的半导体结构的制造方法制造得到；所述半导体结构包括：

基底；

形成于所述基底表面的光电功能层；所述光电功能层用于基于光电效应实现光电信号转换；所述光电功能层包括光电感应层和用于将所述光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；所述光电感应区包括四个层叠设置的光电感应材料层和沿所述光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；所述跨层掺杂结构的掺杂类型与所述光电感应层的掺杂类型相同；

形成于所述隔离结构远离所述基底的一侧的目标格栅结构；

其中，所述跨层掺杂结构以所述过渡格栅结构和所述目标格栅结构为掩膜，通过离子注入工艺形成；以所述光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和所述光电感应材料层的厚度方向，沿所述光电感应层的法线方向，形成所述跨层掺杂结构的离子注入深度大