CN115421226B 一种硫系玻璃光学元件及其制备方法 （有研国晶辉新材料有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115421226B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202210939825.4

(22)申请日2022.08.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115421226A

(43)申请公布日2022.12.02

(73)专利权人有研国晶辉新材料有限公司

地址065001河北省廊坊市廊坊开发区百

合道4号

(51)Int.CI.

GO2B1/115(2015.01)

(56)对比文件

CN102914807A,2013.02.06CN104035146A,2014.09.10JP2000034557A,2000.02.02

审查员陈春艳

(72)发明人路淑娟许宁李欢欢张云博

龚效民贾孟曹波刘帅

张孝仁

(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限

公司11619专利代理师张晓玲

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种硫系玻璃光学元件及其制备方法

(57)摘要

CN115421226B本发明涉及一种硫系玻璃光学元件，通过在基底两侧形成对称的增透膜层，使增透膜层应力保持基本一致，提高了基底的面形质量，此外，本发明以ZnSe材料作为过渡层，由于ZnSe与硫系玻璃基底成分组成较为接近，微观结构类似，因此ZnSe与硫系玻璃的结合力较好，能够明显提高基底与增透膜层的结合强度，另外ZnS、ZnSe与YbF?膜的应力状态相反，相互抵消，使得增透膜层整体应力状态接近零，膜层更加牢固，从而解决了脱膜问题。本发明的硫系玻璃光学元件在1.06μm和8-12μm波段范围内的平均透过率都超过95%。本发明还涉及硫系玻璃光学元件的制备方法。本发明通过膜系结构设计、过渡层选择及烘

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CN115421226B权利要求书1/1页

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1.一种硫系玻璃光学元件，其特征在于，包括：

基底，所述基底为硫系玻璃；以及

两个增透膜，分别设置在所述基底的上表面和下表面，两个所述增透膜均包括：自所述基底的表面逐层设置的第一层膜、第二层膜、第三层膜、第四层膜、第五层膜、第六层膜、第七层膜和第八层膜，其中，所述第一层膜为ZnSe膜，所述第二层膜、所述第四层膜、所述第六层膜和所述第八层膜均为ZnS膜，所述第三层膜、所述第五层膜和所述第七层膜均为YbF?

膜；

所述基底上下表面的膜系结构均为：Sub/x?H1/x?H2/x?L/x?H2/x?L/x?H2/x?L/x?H2/Air,

其中，

Sub代表所述基底，

Air代表空气，

H1代表1/4波长光学厚度的所述ZnSe膜，

H2代表1/4波长光学厚度的所述ZnS膜，

L代表1/4波长光学厚度的所述YbF?膜，

x?~xg分别代表每层膜的光学厚度系数，其数值分别为：x?=0.521,x?=0.703,x?=0.613,x?=0.055,x?=0.018,x?=0.093,x?=0.085,x?=0.009。

2.根据权利要求1所述的硫系玻璃光学元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将基底放入封闭的制膜环境，并对所述制膜环境抽真空；以及

采用电子束蒸发法在所述基底的一个表面上依次镀制第一至第八层膜；镀制完成后，采用相同工艺在所述基底的另一表面上依次镀制第一至第八层膜，得到硫系玻璃光学元件。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在将所述基底放入封闭的制膜环境之后且在镀膜之前，对所述基底进行烘烤，以提高所述基底的温度。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，烘烤温度为100℃~150℃,烘烤时间为3～4小时。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，烘烤后，采用离子源对所述基底进行预轰击，以去除所述基底表面的污染物。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述离子源为考夫曼离子源，离子源屏压为340-360V,离子束流为55-65mA,轰击时间为5～10min。

7.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一至第八层膜的镀制均包括：在4×10?3Pa以下的真空度下，采用电子束蒸发法进行镀制