机械设计手册.（新版）.第5卷_1001-1100.docxVIP

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第4章微机控制系统及接口设计34-87

2)ROMROM主要可分为掩膜RóM和PROM两类。掩膜ROM在制造时就用掩膜工艺将存储内容一起制成，此后再也不能变更；而PROM则在制成芯片后，用户能将存储内容写入芯片。PROM分三种：种为EPROM,PROM在写入内容后再也不能消去，而EPROM芯片上却有一个能通过紫外线的小窗11,当需要擦除已写人的内容时，将小窗口对着

定频谱的紫外光线光源照射一定时间(15min左右),就可擦除写人的所有信息。另一种为EEPROM(E2PROM),则用电气方法消去写人的内容。第三种为KEPROM。显然，后两种ROM能重复多次使用，便于控制系统软件的开发。E2PROM的使用比EPROM方便，但价格较贵。

3)存储容量和存取时问

①存储容量。LSI存储器的存储容量用单个芯片内能够存储信息的位数来表示。21?=1024字节称为1KB。现在多使用4KB到64KB存储器。需要指出的是：出丁存储器内部结构的不同，其芯片引脚亦不同，与CIU的连接方法也有很大差别。例如，同样是4K存储容量，有以下几种情况：

1根数据总线：1位×4096(地址线12根)

4根数据总线：4位×1024(地址线10根)

8根数据总线：8位×512(地址线9根)

在组成8位字长计算机内存时、前两种存储器各需8片和2片一组同时使用。

②存取时间。从CPU将地址信息给予地址总线上开始，到存储内容出现在数据总线上为止的时间tA称为存取时间(见图34.4-13)。这个时间和存储容量

样是一个重要的参数。现在标准产品的存取时间是450ns(lns=10-3s),最近出现了100ns以下的高速存储器。

图34.4-13存取时间

③由于与CPU一起使用的存储器不只一个，这就产生选片问题。一般采用译码器来选片。图34.4·14为3-8译码器(74LS138)的引脚配置。该芯片有三个片选端G?、G?A和G?B。当G?=1、G?A=0、G=0时，芯片才被选通，否则输出均为高电平。A、B、C为三位输人端。输出端的逻辑功能加表34.4-6所示。

图34.41474LS138的引脚配置

4)常用半导体存储器常用EPROM(Intel公司)芯片有：2716(2k×8)、2732A(4k×8)、2764

(8k×8)、27128(16k×8)、27256(32k×8)、27512

表34.4-674LS138的逻辑功能

G?

GzA

G?h

C

B

A

Y?

Y?

Y?

Y

Y?

Y?

Y:

Ye

1

0

0

0

0

(

1

1

1

1

1

1

1

0

1

0

0

0

0

1

1

1

1

1

1

0

1

1

0

0

0

1

0

]

1

]

0

1

1

1

(

0

0

0

1

1

0

1

0

1

E

1

1

1

J

1

0

0

1

1

1

1

1

1

1

1

0

0

1

0

1

1

1

0

1

1

1

1

1

1

0

0

[

1

0

1

0

1

1

上

1

1

1

1

0

0

1

1

1

0

1

1

1

1

1

1

其他状态

×

×

X

×

×

×

×

×

×

×

×

(64k×8)等。

常用数据存储器的静态RAM芯片有：2114(lk×4)、6116(2k×8)、6264(8k×8)等，

动态RAM芯片有2164(64k×1)等。

n上u①2716EPROM。2716EPROM

n上u

2716有8根数据线O?~O?,2048×8(=16384)个存储容量，需要11根地址线(A?~A10)。

2716可执行读出和写人两种操作。这里只谈它的读出操作。在2716读出操作中，最重要的是OE和CE两条信号线。CE线的使用方法与2114芯片的CS相类似，也就是使用地址线Aπ~A?来划定2716存储单元

34-88第34篇机电一体化系统设计

所在存储空间的区域。此时CE=0有效。当OE=0时，可从存储器读出数据，这可用CPU的MREQ和RD信号控制。

表34.4-7EPROM2716的方式选择

(1)引脚功能

引脚

功能

Ao~A:c

地址

O?~0?

输出

OE

输出允许

CE/PGM

片允许/编程

(2