CN114975703B 一种提高发光效率的led外延结构及其制作方法 （厦门未来显示技术研究院有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114975703B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202210766428.1

(22)申请日2022.07.01

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114975703A

(43)申请公布日2022.08.30

(73)专利权人厦门未来显示技术研究院有限公

司

地址361006福建省厦门市火炬高新区火

炬园火炬路56-58号火炬广场南楼

420-10

(72)发明人王莎莎万志陈少彬史成丹卓祥景柯志杰艾国齐

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

(51)Int.CI.

H10H20/812(2025.01)

H10H20/825(2025.01)H10H20/01(2025.01)

(56)对比文件

CN102903808A,2013.01.30

US2008035910A1,2008.02.14审查员陈袁园

专利代理师王娇娇

权利要求书2页说明书9页附图7页

(54)发明名称

一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法

(57)摘要

CN114975703B本申请公开了一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N-GaN层、多量子阱结构以及P-GaN层；其中，所述多量子阱结构由多个量子垒和量子阱交替形成，所述量子阱包括在所述量子垒上依次生长的InN层、InGaN层、GaN层以及AlInGaN层，所述GaN层和所述AlInGaN层构成Cap层，且在所述N-GaN层到所述P-GaN层之间，所述Cap层采用Al/In渐变的生长方式，能够起到极化匹配，形成高导带势垒，减小电子泄露的作用，并且在所述量子阱的生长初期，采用预通In的生长方式，形成InN团簇，增加

CN114975703B

-18

接触层

P-GaN层

第N+1个量子垒(AIGaN层)

AllnGaN层

GaN层

InGaN层

InN层

第N个量子垒(GaN层)

第2个量子垒(GaN层)AlleGaN层

GaN层

InGaN层

IaN层

第1个量子垒(GaN层)

N-GaN层

缓冲层

未掺杂AIN低温成核层

衬底

16

52

151

-152

11

CN114975703B权利要求书1/2页

2

1.一种提高发光效率的LED外延结构，其特征在于，包括：

衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N-GaN层、多量子阱结构以及P-GaN层；

其中，所述多量子阱结构由多个量子垒和量子阱交替形成，所述量子阱包括在所述量子垒上依次生长的InN层、InGaN层、GaN层以及AlInGaN层，所述GaN层和所述AlInGaN层构成Cap层，且在所述N-GaN层到所述P-GaN层之间，所述Cap层采用Al比In渐变的生长方式，能够起到极化匹配，形成高导带势垒，减小电子泄露的作用，并且在所述量子阱的生长初期，采用预通In的生长方式，形成InN团簇，增加In的并入，从而减少穿透位错，增加辐射复合发光。

2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述量子垒的生长周期为N+1,N为6~12;

第1至第N-3个量子垒的厚度为DB?,DB?=7~16nm;

第N-1和第N-2个量子垒的厚度为DB?,DQB?-DB?≥2~6nm;

第N个量子垒的厚度为DB?,DB?-DB?≤2~4nm;

第N+1个量子垒的厚度为DB4,DQB?=18~30nm。

3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，第1至第N个量子垒均为GaN层，第N+1个量子垒为AlGaN层。

4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述量子阱的生长周期为N,N为6~12;

第1至第N-4个量子阱中In组分为X,且逐渐增加，0.05≤X≤0.3;

第N-3个和第N-2个量子阱中In组分保持不变，为0.25~0.3;

第N-1个和第N个量子阱中In组分为Y,且逐渐减小，0.1≤Y≤0.2。

5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述Cap层的厚度为1~5nm。

6.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：