CN112436012B 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 （美光科技公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112436012B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010825265.0

(22)申请日2020.08.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112436012A

(43)申请公布日2021.03.02

(30)优先权数据

16/550,2382019.08.25US

(73)专利权人美光科技公司地址美国爱达荷州

(72)发明人胡怡R·M·阿卜杜勒拉哈曼

N·比利克D·比林斯利柏振宇J·M·卡什M·J·金A·李

D·诺伊迈耶W·Y·吴

Y·K·朴C·蒂瓦里王宜平

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师王龙

(51)Int.CI.

H10B41/35(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

(56)对比文件

US2010109071A1,2010.05.06

US9972641B1,2018.05.15

CN113228278A,2021.08.06

审查员唐朝东

L·威廉森张晓松

权利要求书4页说明书11页附图32页

(54)发明名称

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

(57)摘要

CN112436012B本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述

CN112436012B

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CN112436012B权利要求书1/4页

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1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：

横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；以及

居间材料，其在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块，所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域，所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长，

其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括至少一个空隙空间；且

其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括多个竖直间隔开的空隙空间。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述竖直伸长接缝在所述第一区域中具有比在所述第二区域中高的顶部。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地仅包括一个空隙空间。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述居间材料包括横向最外绝缘材料和具有与所述横向最外绝缘材料的成分不同的成分的横向内部材料，所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝处于所述横向内部材料中。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述横向最外绝缘材料包括二氧化硅，且所述横向内部材料包括未掺杂的多晶硅。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述居间材料在横向紧邻的所述存储器块之间到处都是绝缘的。

7.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：

横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；以及

居间材料，其在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块，所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域，所述竖直伸长接缝在所述第一区域中具有比在所述第二区域中高的顶部，

其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括至少一个空隙空间；且

其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括多个竖直间隔开的空隙空间。

8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别