高金属栅极工艺中湿法清洗机制研究.pdfVIP

固态现象第195卷（2013）第79-81页自起于©（2013）TransTechPublications，

doi:10.4028/

CleN‑PMOS模式化过程中高K金属栅极的工艺机制

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,，，,简进成,,陈迈克尔,,

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元莎·S·H·，亚历克斯·卡班斯基,,高杰克

1联华电子，台南科学园区南科路18号，省台南县新市区741，

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2泛林研究公司，加利福尼亚州弗里蒙特市库欣公园大道4650号，94538kai_

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：高K/金属栅极，湿法，抗反射涂层，，聚合物，表面分析is

在高K金属栅极（HKMG）结构的等离子体刻蚀过程中，和底部抗反射涂层

（BARC）的化学和改性可能导致残留和产量损失，这给后续的湿法过程带

来了。通过STEM‑EELS、XPS和AES等各种表面分析技术系统地研究了干法刻蚀和湿

法后材料的化学行为。通过对刻蚀和机制的深入了解，开发并测试了一种结合水基

/溶剂的方法，以有效清除刻蚀副产物。应用新的方法后，产量有了显著提高。

引言

28nm高K/金属栅极（HKMG）后栅工艺涉及N‑P栅功函数的独立调整。为了解决这一方法，

在工艺流程的相应步骤中应用了底部抗反射涂层材料（BARC）和（PR）掩模，以保

护一种类型的栅极，同时对另一种进行工程处理。需要干法刻蚀和随后的湿法，以

独立的N‑P栅图案化和金属栅调谐。

在开发过程中，注意到BARC的图案化过程和的干法剥离对后续蚀刻残留物和

BARC的湿法提出了。观察到晶圆表面存在类似聚合物的和较小的，如图

1a和1b所示。需要充分的湿法以确保产量和可靠性。本工作的目的是分析等离子体

的PR/BARC上的并确定的成分。这有助于我们阐明机制，并优化HKMG在单

独N‑P栅极工程中的相应湿法工艺。

图1：在非优化的BARC/残留物清洁过程中，晶圆表面的聚合物：a‑、b‑是这些的例子。

。TTP，以或任何方式或传输本文的内容，。(ID:67,QueensUniversity,Kingston,

Canada‑27/12/14,08:25:20)