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半导体物理试题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.本征半导体中自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于

B.小于

C.等于

D.不确定

2.杂质半导体中，P型半导体的多子是（）。

A.自由电子

B.空穴

C.施主杂质

D.受主杂质

3.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

D.不确定

4.半导体的导电能力随温度升高而（）。

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先增强后减弱

5.以下哪种半导体材料属于间接带隙半导体（）。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.以上都不是

6.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度的乘积（）。

A.与温度无关

B.随温度升高而增大

C.随温度升高而减小

D.不确定

7.半导体中施主杂质电离后成为（）。

A.正离子

B.负离子

C.中性原子

D.不确定

8.当PN结外加反向电压时，反向电流（）。

A.很大

B.很小

C.为零

D.不确定

9.半导体中电子的迁移率（）空穴的迁移率。

A.大于

B.小于

C.等于

D.不确定

10.本征半导体的费米能级位于（）。

A.禁带中心

B.导带底附近

C.价带顶附近

D.不确定

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体的特性包括（）。

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.绝缘性

2.杂质半导体分为（）。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体

D.化合物半导体

3.以下属于半导体材料的是（）。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.铜

4.PN结的特性有（）。

A.单向导电性

B.电容效应

C.击穿特性

D.放大特性

5.半导体中载流子的散射机制有（）。

A.晶格散射

B.杂质散射

C.电离杂质散射

D.表面散射

6.半导体的能带结构包括（）。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.满带

7.热平衡时，半导体中载流子的产生与复合（）。

A.速率相等

B.处于动态平衡

C.产生速率大于复合速率

D.复合速率大于产生速率

8.半导体中电子的有效质量（）。

A.与自由电子质量有关

B.与能带结构有关

C.是一个常数

D.反映电子在晶体中运动的难易程度

9.以下关于PN结电容的说法正确的是（）。

A.势垒电容与外加电压有关

B.扩散电容与外加电压有关

C.势垒电容是由空间电荷区的变化引起的

D.扩散电容是由扩散区内载流子的积累和变化引起的

10.半导体发光二极管的发光原理包括（）。

A.自发辐射

B.受激辐射

C.电子与空穴复合

D.光的吸收

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.本征半导体中没有杂质，所以不导电。（）

3.P型半导体中掺入的是施主杂质。（）

4.PN结正向偏置时，电流很小。（）

5.半导体的迁移率只与材料本身有关，与温度无关。（）

6.热平衡时，半导体中载流子的浓度是固定不变的。（）

7.半导体中电子的有效质量总是大于自由电子质量。（）

8.PN结的击穿现象是不可逆的。（）

9.半导体发光二极管发出的光的波长与材料的禁带宽度有关。（）

10.杂质半导体的导电类型只取决于杂质的种类，与杂质浓度无关。（）

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述本征半导体的导电机制。

2.说明PN结单向导电性的原理。

3.简述半导体中载流子散射机制对迁移率的影响。

4.简述半导体发光二极管的工作原理。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论温度对半导体导电性能的影响。

2.谈谈你对半导体中杂质作用的理解。

3.讨论如何提高半导体器件的性能。

4.说说半导体技术在现代社会中的重要应用及发展趋势。

答案及解析

一、单项选择题答案及解析

1.C。本征半导体中自由电子浓度和空穴浓度相等，这是本征半导体的基本特性。

2.B。P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子。

3.A。外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，形成正向导通。

4.A。温度升高，半导体中载流子浓度增加，导电能力增强。

5.A。硅和锗是间接带隙半导体，砷化镓是直接带隙半导体。

6.B。热平衡时，电子浓度与空穴浓度乘积随温度升高而增大。

7.A。施主杂质电离后成为正离子。

8.B。外加反向电压时，反向电流很小。

9.A。一般半导体中电子迁移率大于空穴迁移率。

10.