CN118198018B 功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用 （北京怀柔实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118198018B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202410176647.3

(22)申请日2024.02.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118198018A

(43)申请公布日2024.06.14

(73)专利权人北京怀柔实验室

地址101400北京市怀柔区杨雁东一路8号

(72)发明人魏晓光唐新灵韩荣刚林仲康王亮李玲

(74)专利代理机构北京智专天权知识产权代理有限公司16248

专利代理师王茹

(51)Int.CI.

HO1L23/48(2006.01)

HO1L23/367(2006.01)

H01L23/373(2006.01)H01L21/50(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

(56)对比文件

CN

CN

CN

CN

CN

201466015

115188722

113149714

113235020

220066983

U,2010.05.12

A,2022.10.14

A,2021.07.23

A,2021.08.10

U,2023.11.21

审查员齐梦宇

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

功率半导体器件的封装结构、制造方法及应

用

(57)摘要

CN118198018B一种功率半导体器件的封装结构、方法及应用，属于半导体封装领域；所述功率半导体器件的封装结构包括：芯片，布置在芯片的第一侧的阴极电极；以及，布置在芯片与第一侧相对的第二侧的阳极电极；所述阴极电极与所述阳极电极中的至少一个使用导电金属复合材料。本发明通过分别降低体热阻和接触热阻的方法实现器件

CN118198018B

CN118198018B权利要求书1/2页

2

1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：

芯片；

布置在芯片的第一侧的阴极电极；以及

布置在芯片与第一侧相对的第二侧的阳极电极；

其中，所述阴极电极与所述阳极电极中的至少一个使用导电金属复合材料制备；其中，所述导电金属复合材料为铜金刚石或铝金刚石，且所述铜金刚石或铝金刚石中，金刚石的体积分数为40%-70%;所述导电金属复合材料热导率大于400W/m·K,热膨胀系数小于10e-6/K;所述阴极电极与所述阳极电极面向芯片一侧的表面平面度小于等于10μm,表面粗糙度Ra小于等于0.7μm;所述导电金属复合材料制备的阴极电极和/或阳极电极具有延径向梯度分布的金刚石分浓度，使得所述阴极电极和/或阳极电极延径向具有不同的热膨胀系数，越靠近电极中心，热膨胀系数越高。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述阴极电极和所述阳极电极之一与芯片直接连接，另外一个与芯片通过缓冲层连接；或者

所述阴极电极和所述阳极电极都与芯片直接连接。

3.如权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述阴极电极与所述阳极电极面向芯片的一侧的表面形成有Ni-Ag镀层或纳米银颗粒沉积层，或

仅所述阴极电极与所述阳极电极其中之一的面向芯片的一侧的表面形成有Ni-Ag镀层或纳米银颗粒沉积层；

通过Ni-Ag镀层或纳米银颗粒沉积层实现表面平面度小于等于10μm,表面粗糙度Ra小于等于0.7μm。

4.如权利要求1或2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括过渡金属环，所述过渡金属环连接于电极和金属法兰之间，所述过渡金属环的热膨胀系数大于电极且小于金属法兰。

5.如权利要求1或2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述电极在其延径向的切面上具有台阶结构。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的功率半导体器件封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在芯片的第一侧通过机械压力或烧结连接阴极电极和阳极电极中的之一；

在芯片与第一侧相对的第二侧通过机械压力或烧结连接阴极电极和阳极电极中的另一电极；

其中：

所述阴极电极与所述阳极电极中的至少一个使用导电金属复合材料；所述阴极电极与阳极电极中的至少一个在压接之前对其面向芯片的表面进行了Ni-Ag镀层处理或纳米银颗粒沉积处理。

7.一种采用如权利要求1-5任一项所述的封装结构的功率器件，所述功率器件为IGCT、IGBT、GTO。

8.一种采用如权利要求1-5任一项所述的封装结构的功率器件，所