2025年大学（微电子科学与工程）集成电路设计基础毕业综合测试试题及答案.docVIP

2025年大学（微电子科学与工程）集成电路设计基础毕业综合测试试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每小题2分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确答案的序号填在括号内。

1.集成电路设计中，CMOS工艺的主要优势不包括以下哪一项（）

A.低功耗B.高集成度C.速度慢D.抗干扰能力强

2.以下哪种逻辑门不属于基本逻辑门（）

A.与门B.或门C.与非门D.异或门

3.在数字集成电路中，常用的触发器类型不包括（）

A.JK触发器B.D触发器C.T触发器D.C触发器

4.集成电路设计中，版图设计的主要目的是（）

A.实现电路功能B.提高电路速度C.降低功耗D.将电路设计转换为实际的物理布局

5.对于MOSFET，以下关于阈值电压的说法正确的是（）

A.阈值电压越高越好B.阈值电压越低越好C.阈值电压与器件性能无关D.阈值电压决定了MOSFET的开关特性

6.集成电路设计中，时钟信号的作用不包括（）

A.同步电路操作B.提高电路速度C.提供定时基准D.降低功耗

7.以下哪种电路结构常用于实现高速加法器（）

A.半加器B.全加器C.超前进位加法器D.串行加法器

8.在模拟集成电路设计中，放大器的主要性能指标不包括（）

A.增益B.带宽C.功耗D.失真度

9.集成电路设计中，电源网络设计的主要考虑因素不包括（）

A.电源电压B.电源噪声C.电源分布D.电路功能

10.对于数字集成电路，以下关于扇出的说法正确的是（）

A.扇出越大越好B.扇出越小越好C.扇出与电路性能无关D.扇出限制了门电路能够驱动的负载数量

11.集成电路设计中，以下哪种技术常用于提高电路的集成度（）

A.缩小器件尺寸B.增加电源电压C.降低时钟频率D.减少逻辑门数量

12.以下哪种逻辑电路可以实现数据选择功能（）

A.编码器B.译码器C.数据选择器D.计数器

13.在集成电路设计中，ESD保护电路的作用是（）

A.防止静电对电路造成损坏B.提高电路速度C.降低功耗D.实现电路的逻辑功能

14.对于CMOS反相器，其输入输出特性曲线的斜率与以下哪个因素有关（）

A.电源电压B.器件尺寸C.阈值电压D.以上都是

15.集成电路设计中，以下哪种方法可以降低电路的功耗（）

A.提高电源电压B.增加逻辑门数量C.采用低功耗工艺D.提高时钟频率

16.以下哪种数字电路可以实现对输入信号的计数功能（）

A.编码器B.译码器C.计数器D.数据选择器

17.在模拟集成电路设计中，反馈放大器的主要类型不包括（）

A.电压反馈放大器B.电流反馈放大器C.功率反馈放大器D.串联反馈放大器

18.集成电路设计中，以下关于布线的说法错误的是（）

A.布线应尽量短B.布线应避免交叉C.布线对电路性能没有影响D.布线应考虑电磁兼容性

19.对于数字集成电路，以下哪种测试方法可以检测电路的功能是否正确（）

A.直流测试B.交流测试C.功能测试D.功耗测试

20.集成电路设计中，以下哪种技术可以提高电路的可靠性（）

A.采用冗余设计B.降低电源电压C.减少逻辑门数量D.提高时钟频率

第II卷（非选择题共60分）

21.（10分）简述CMOS工艺中NMOS和PMOS晶体管的工作原理。

答：CMOS工艺中，NMOS晶体管由n型半导体作为沟道，当栅极电压高于阈值电压时，形成导电沟道，源极和漏极之间导通，电子从源极流向漏极。PMOS晶体管由p型半导体作为沟道，当栅极电压低于阈值电压时，形成导电沟道，源极和漏极之间导通，空穴从源极流向漏极。

22.（10分）在数字集成电路设计中，如何设计一个4位二进制加法器？请简述设计思路和主要步骤。

答：设计思路：采用全加器级联的方式实现4位二进制加法。主要步骤：首先设计一个1位全加器，考虑输入的两个1位二进制数以及低位的进位信号，输出本位和以及向高位的进位信号。然后将4个1位全加器级联，低位全加器的进位输出连接到高位全加器的进位输入，实现4位二进制数的相加。

23.（10分）在模拟集成电路设计中，放大器的频率