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偶联剂改性对铜箔抗剥强度及PTFE树脂基板性能的影响分析.pdf

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偶联剂改性对铜箔抗剥强度

及PTFE树脂基板性能的影响分析

郑小伟

（安徽铜冠铜箔集团股份有限公司，安徽池州247100）

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摘要铜箔与树脂基板是制作、生产电子信息产品的主要材料，直接关系到电子信息产品的应用性能。结合新时期电子信息行

业的发展背景，本文以由铜箔与树脂基板构成的覆铜板为主要研究对象，在研究铜箔抗剥强度的影响因素以及PTFE树脂基板特性的

基础上进行实验分析，探讨偶联剂改性方式优化铜箔以及PTFE树脂基板性能的路径，旨在为提升覆铜板性能、提高电子信息产品质

量水平提供理论支持。

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关键词偶联剂改性铜箔抗剥强度PTFE树脂基板

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中图分类号TG146.11文献标识码A文章编号16712064（2025）12011403

0引言（3）硅烷涂覆。将硅烷涂覆在铜箔毛面，可以有效提

随着5G通信、毫米波雷达及高速服务器等技术的快速升铜箔的抗剥强度。硅烷偶联剂作为界面改性的核心材

迭代，电子电路对信号传输的高频化、高速化需求持续攀料，可在铜箔与基材间构建“分子桥”，显著提升抗剥强

升。聚四氟乙烯（PTFE）树脂凭借极低的介电常数、介电损度。硅烷分子中的硅氧基团与铜箔表面羟基发生缩合反

耗及优异的化学稳定性，成为高频电路板基材的首选。然应，形成共价键。有机官能团则与基材树脂产生化学或物

而，PTFE表面高度结晶、表面能极低，与铜箔间缺乏有效理结合，实现两相界面的有效连接。涂覆过程中，应严格

的物理吸附与化学结合，导致二者界面结合力薄弱。而偶联控制应用的硅烷浓度、加入方式、涂覆方式等[2]。

剂改性作为改善材料界面相容性的核心技术，通过在界面构2PTFE树脂基板特性

建“分子桥”，可显著提升两相之间的黏附性能。因此，深在覆铜板材料生产中，树脂基板作为铜箔的主要结合

入探究偶联剂改性对铜箔抗剥强度及PTFE树脂基板性能的材料，其性能直接影响二者界面的结合强度。为保证铜箔

影响，对突破高频电路封装技术瓶颈具有现实意义。与基材稳固结合，除关注铜箔自身的抗剥强度外，还需要

1铜箔抗剥强度影响因素深入分析基材性能，科学选择适配的基材类型。随着电子

本文研究的铜箔均为电解铜箔。抗剥强度是电解铜箔工业向高频高速方向发展，PTFE树脂基板在覆铜板生产

的基本性能之一，当前实际用于各类电子信息产品中的电中的应用日益广泛。与传统玻璃布浸渍成型工艺的基板材

解铜箔在抗剥强度方面往往呈现出水平较低且不稳定的特料相比，PTFE树脂基板凭借独特的性能优势，不仅能满

[1]

点。铜箔的抗剥强度主要受以下因素的影响：足高频信号传输、低介电损耗等严格要求，还可以与各类

（1）生箔结晶状况。生箔晶粒是制作生产电解铜箔的助剂、填充粉料协同配合，进一步拓展材料的综合性能，

主要原料。若生箔晶粒呈现致密且大小均匀的特点，则生成为高性能覆铜板的首选基材。

产的铜箔抗剥强度高。生箔结晶过程中，主要受生箔阴极PTFE树脂基板以PTFE分散液为主体树脂，向其中

辊表面状况以及电解液添加剂的影响。其中，生箔阴极辊添加其他氟树脂、无机粉料、助剂等材料后进行复配混