CN113708219B 一种半导体量子阱激光器及其制备方法 （中国科学院福建物质结构研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113708219B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202110991003.6

(22)申请日2021.08.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113708219A

(43)申请公布日2021.11.26

(73)专利权人中国科学院福建物质结构研究所地址350002福建省福州市杨桥西路155号

(72)发明人林琦林中晞赵晓凡朱振国钟杏丽苏辉

(74)专利代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535

专利代理师刘元霞聂稻波

(51)Int.CI.

H01S5/22(2006.01)

H01S5/343(2006.01)

(56)对比文件

CN103219650A,2013.07.24CN216699079U,2022.06.07

CN103762500A,2014.04.30审查员李晓婷

权利要求书3页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种半导体量子阱激光器及其制备方法

(57)摘要

CN113708219B本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种半导体量子阱激光器及其制备方法，所述激光器包括其外延结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和接触层；所述上保护层上设置有脊波导和若干刻蚀槽，所述刻蚀槽分布在脊波导上，所述刻蚀槽将所述脊波导分割成若干不连续的脊波导分段。本发明实现类似于啁啾，切趾或者相移光栅效应，来实现

CN113708219B

沿谐振腔轴向方向

CN113708219B权利要求书1/3页

2

1.一种半导体量子阱激光器，其特征在于，其包括其外延结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和接触层；

所述外延结构还包括：下波导层、上波导层、过渡层、下保护层、刻蚀阻挡层和上保护层；

所述下波导层位于下限制层和有源层之间，所述上波导层、过渡层自下而上依次位于有源层和上限制层之间，所述下保护层、刻蚀阻挡层和上保护层自下而上依次设置在上限制层和接触层之间；

所述上保护层上有脊波导和若干刻蚀槽，所述刻蚀槽分布在脊波导上，所述刻蚀槽将所述脊波导分割成若干不连续的脊波导分段；

所述脊波导各分段之间的耦合系数、和/或脊波导各分段的长度、和/或刻蚀槽的宽度中沿谐振腔轴向的分布，包含切趾分布、啁啾分布或者相移分布中的至少两种。

2.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，位于所述脊波导中部区域的脊波导各分段的长度呈啁啾分布或相移分布，位于两侧区域的脊波导各分段的长度等效切趾分布。

3.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，所述脊波导中部1/3范围内的脊波导各分段的长度呈啁啾分布或相移分布，位于两侧各1/3范围内的脊波导各分段的长度呈等效切趾分布。

4.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，位于所述脊波导中部区域的刻蚀槽的宽度呈啁啾分布或相移分布，位于两侧区域的刻蚀槽的宽度呈等效切趾分布。

5.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，所述脊波导中部1/3范围内的刻蚀槽的宽度呈啁啾分布或相移分布，位于两侧各1/3范围内的刻蚀槽的宽度呈等效切趾分布。

6.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，位于所述脊波导中部区域内各分段之间的耦合系数呈啁啾分布或相移分布，位于两侧区域的耦合系数呈等效切趾分布。

7.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，所述脊波导中部1/3范围内各分段之间的耦合系数呈啁啾分布或相移分布，位于两侧各1/3范围内的耦合系数呈等效切趾分布。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，脊波导分段长度与刻蚀槽宽度之比为大于1,即占空比大于0.5。

9.根据权利要求1-7任一项所述的半导体量子阱激光器，其特征在于：脊波导各分段、刻蚀槽呈等效切趾分布，占空比在0.75-0.95内变化。

10.根据权利要求1-7任一项所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，所述脊波导各分段、刻蚀槽呈等效切趾分布，且为余弦分布。

11.根据权利要求1所述的半导体量子阱激光器，其特征在于，所述脊波导平行于脊方向的两侧设置有沟槽，所述沟槽的宽度为10~20μm。

12.根据权利要求11所述的半导体量子阱激